CMOS噪声余量是由输入振幅的最小值与输入旌旗灯号最小须要的振幅之差来做界说
信息来历：本站 日期：2017-08-29
噪声余量
大数IC的噪声余量由输入振幅的最小值与输入旌旗灯号最小须要的振幅之差来界说。这个差值越大，对于由电源/GND线或由旌旗灯号线发生的突发噪声来讲，越不轻易引起误举措。
作为标准逻辑IC，与今朝利用较多的双极型TTL相比拟，CMOS具备更宽的噪声余量。图10.13示出CMOS反相器与TTL的输入-输入传输特征。CMOS特征的下降肩特征高峻陡峭，电路阈值电压大抵位于VDD的1/2处。输入振幅可以或许或许在全部VDD～GND的规模摆动。因为CMOS可以或许在全部VDD～GND规模取输入，就可以或许以小的输入振幅任务。可以或许或许看出，与TTL相比，CMOS的噪声余量上风很大。
图10. 14示出CMOS与TTL的噪声余量的相比。因为CMOS的抗噪声能力强，以是在高品质旌旗灯号传输、高坚固性体系等范围利用很遍及。
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
存眷KIA半导体工程专辑请搜微旌旗灯号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“存眷”
长按二维码辨认存眷
