MOS场效晶体管-功率场效晶体管布局与任务道理-KIA MOS管

信息来历：本站　日期：2017-05-16　

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功率场效应晶体管（P-MOSFET）简称功率MOSFET，是利用多数载流子导电的半导体东西，且导通时只需一种极性的载流子参与导电，是单极型晶体管。与利用多数载流子导电的双极型功率晶体管比拟，功率 MOSFET 只靠单一载流子导电，不存在存储效应，因此其关断历程非常火速，其开关时候在 10 - 100ns 之间，功课频次可达 100kHz以上，最高可以或许达到500kHz。功卒MOSFET、开关速率快，功课频次高，可以或许使高频次开关电源在设想时体积更小、品质更轻，习气开关电源小型化、高效力化和高靠得住性的展开要求。

功率 MOSFET 按导电沟道分为N 沟道和IP 沟道两种，N沟迫的载梳子为空穴，P 沟道的载流子为电子。其电气标记如图 5-16 所示，图中的MOS管三个极别离为栅极 G、漏极 D、源极 S。

经常使用的功率 MOSFET 首要是 N 沟道加强型。与凡是小功率 MOSFET 的横向导电机关不间，功率 MOSFET 大多选用蜿蜒导电机关，而后进步了耐压和耐电流能力，因此它别名VMOSFET。功率 MOSFET 是电压节制型东西，在它的栅极和源极间加一个图5-16 功率 MOSFET 的受控的电压，在漏极可取得较大的电流。功率 MOSFET 的栅极与源极在电气上是靠硅氧化层相互隔绝的，具备很高的输出阻抗，因此其驱动电流很小，为 100nA 数目级，而输山电流可达数安培至十几安培。功率 MOSFET 所需的驱动功率很小，因此其对驱动电路的要求较低。功率 MOSFET 静态时的确不需输出电流，但在开关过科中帘对输入电容充、放电，因此它仍需定的驱动功率，且开关频次越高，所需求的驱动功率越大。

因为功率 MOSFET 具备正的温度系数，以是当无限个管子间接并联时，可以或许主动平衡电流，不会产生过热点，热不变性好。

功率 MOSF'ET 具备驱动功率小、功课频次高、宁静功课以宽、元二次击穿等特色。功率 MOSFET 的导通压阵稍大，电流容量小，耐压低（小于 1仪>OV ），凡是只合用于中小功率开关管电源，在中低斥、小电流、高频次范围占用上风。此刻，功率 MOSFET 的容量程度为 50A/500 V ，功课频次为 100kHz。

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