5N60现货供给商 5N60参数中文材料 5N60参数设置装备摆设对照
信息来历：本站 日期：2018-01-13
N沟道加强型功率场效应晶体管是利用起亚的。有立体的DMOS工艺。这类进步前辈手艺出格合适于最小化。在状况电阻方面，供给优胜的开关机能，并能蒙受高能量脉冲。雪崩换相情势。这些器件很是合适于高效力的开关情势电源。基于半桥的电源和电子镇流器。
特点
4.5A，600V，RDS（ON）= 2Ω@ VGS = 10v
低反应电容（典范值8.0pf）
低栅极电荷（典范值高= 16nc）
疾速切换
100%雪崩测试
改良的dt／dt才能
合适RoHS
参数
产物编号：KIA 5N60
系列称号：MOSFET
沟道：N沟道
耗散功率（pd）：100
漏源反向电压（Vds）：600
栅源反向电压（Vgs）：30
漏极电流（持续）（id）：5
最高结温（Tj），℃：150
回升时候（tr）：42
输入电容（Cd），PF：55
通态电阻（Rds），ohm：1.8
封装情势：TO-220、TO-220F等
|
|
4N60 |
|
描写 |
5.0A 600V N-CHANNEL .MOSFET |
|
合用规模 |
开关电源、逆变器等 |
|
PDF文件
|
|
|
LOGO |
|
|
厂家 |
|
|
网址 |
|
|
PDF页数 |
总7页 |
接洽体例：邹师长教师（KIA MOS管）
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
存眷KIA半导体工程专辑请搜微旌旗灯号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“存眷”
长按二维码辨认存眷
相干搜刮：
