KIA12N65参数

KIA12n65hN沟道加强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关利用，如高效力开关电源，基于半桥拓扑布局的有源功率因数校订电子镇流器。

KIA12N65特点

RDS(on)=0.63?@ VGS = 10V

低栅极电荷（典范的52nc）

疾速切换的才能

雪崩能量

改良的dt／dt才能

产物型号：KIA12N65

任务体例：12A/650V

漏源电压：650V

栅源电压：±30V

泄电留连续：12.0*A

脉冲漏极电流：48.0*A

雪崩能量：865mJ

耗散功率：54W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：650V

温度系数：0.7V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：1850 PF

输入电容：180 PF

回升时候：90 ns

封装情势：TO-220F

	KIA12N65（12A 650V）
产物编号	KIA12N65/HF
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	KIA12n65hN沟道加强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关利用，如高效力开关电源，基于半桥拓扑布局的有源功率因数校订电子镇流器
产物特点	RDS(on) = 0.63?@ V GS = 10 V 低栅极电荷（典范的52nc）疾速切换的才能雪崩能量改良的dt／dt才能
合用规模	合用于高速功率开关，开关电源等
封装情势	TO-220F
PDF文件	【间接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总5页