KIA4N65参数

这是功率MOSFET接纳进步前辈的立体条形DMOS工艺出产的起亚。这进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的。开关机能，在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲。器件首要合用于高效力开关电源，有源功率因数校订。基于半桥拓扑。

KIA4N65特点

RDS(on) =2.5? @ VGS=10V

低栅极电荷（典范的16nc）

高耐用性

疾速切换

100%雪崩测试

改良的dv / dt的才能

产物型号：KIA4N65

任务体例：4A/650V

漏源电压：650V

栅源电压：±30V

泄电留连续：3.0A

脉冲漏极电流：12A

雪崩能量：210mJ

耗散功率：58W

热电阻：110℃/W

漏源击穿电压：650V

温度系数：0.65V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：560 PF

输入电容：55 PF

回升时候：40 ns

封装情势：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F

	KIA4N65（4A 650V）
产物编号	KIA4N65/HF
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	功率MOSFET接纳进步前辈的立体条形DMOS工艺出产的起亚。这进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的。开关机能，在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲
产物特点	RDS(on) =2.5? @ VGS=10V 低栅极电荷（典范的16nc）高耐用性疾速切换 100%雪崩测试改良的dv / dt的才能
合用规模	器件首要合用于高效力开关电源，有源功率因数校订。基于半桥拓扑。
封装情势	TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总6页