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信息来历：本站 日期：2018-01-22
功率金属氧化物半导体场效应晶体管，操纵进步前辈的处置手艺到达每一个硅片极低的 导通阻抗。如许无益于连系高速的开关和靠得住使MOSFETS大批地适用装备上，使设想师可以或许很是高效，靠得住的操纵在 各个方面。
D2Pak外表封装的合适于小功率大面积小HEX-4。它可以或许供给最大的功率输入和最可以或许小的导通阻抗在现有的贴片封装。
D2Pak合适与大电流操纵场所，是由于它有低的外部毗连阻抗和具备2W的散热才能，是典范的贴片封装操纵。
进步前辈的加工手艺
极低的导通阻抗
静态的dv/dt品级
175℃运转温度
充实的雪崩品级
漏极电流（持续）：110 A
脉冲漏极电流：390A
功率消失 ：200W
线性额外下降因数 ：1.3 W/℃
门极电压：±20
雪崩电流：62A
反复雪崩能量：20 mJ dv/dt
二极管规复峰值电压变更率：5.0 V/nS
任务节点温度和保管温度： -55（to） +175℃
焊接温度，在10秒内：300（假定为1.6mm）℃
|
PartNumbe |
VDss(V) |
ID（A） |
Max RDS(ON) @60%ID(Ω) |
Typical RDS(ON) @60%ID(Ω) |
|
IRF840 |
500 |
8 |
0.85 |
63 |
|
IRF7811 |
30 |
14 |
14 |
17 |
|
IRF610 |
200 |
3.3 |
1.5 |
8.2 |
|
IRF530 |
100 |
17 |
90 |
24.7 |
|
IRF634 |
250 |
8.1 |
0.45 |
54 |
|
IRF7413 |
30 |
13 |
11 |
44 |
|
IRF3710 |
100 |
57 |
23 |
86.7 |
|
IRF024 |
55 |
162 |
4 |
160 |
|
IRF630 |
200 |
9.5 |
300 |
23.3 |
|
IRf1404 |
40 |
162 |
4 |
160 |
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