8N60 MOS管参数

kia8n60是一种高电压MOSFET和设想有更好的特点，如疾速开关时候，低门电荷，低通态电阻，并具备较高的坚忍雪崩特点。这类功率MOSFET凡是用于高速开关电源，PWM机电，节制器，高效力的DC至DC转换器和桥电路。

系列称号：MOSFET
沟道：N沟道
耗散功率（pd）：147

漏源反向电压（Vds）：600

栅源反向电压（Vgs）：30

漏极电流（持续）（id）：7.5

静态漏源电阻R DS(ON)，Yyp：0.98

总功耗（Tc）：25℃

热阻（RthCS）：05

热阻结温（RthJC）：0.85

通态电阻（Rds），Typ：0.98

回升时候（tr）：VDD=300V,R G =25Ω,ID =7.5A(note4,5)

最高结温（Tj），℃：150

	8N60（7.5A，600V）
产物编号	KIA8N60/F/ HF/HI/P/PF
产物工艺	8N60该产物具备较低的导通电阻，优胜的开关机能很高的雪崩、击穿耐量
特点	1.超低栅极电荷（典范的29nc） 2.疾速切换的才能 3.雪崩能量测试 4.晋升的dt／dt才能
合用规模	该产物合用于高速开关电源，PWM机电节制，高效力的DC至DC转换器和桥电路。
封装情势	TO-220、TO-220F等
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厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
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