KIA3710参数

功率MOSFET的设想接纳沟槽规划为根本的工艺。与差别来历的规范整机比拟，进步了机能。MOSFET在开关稳压器的设想，利用开关变更器、机电、继电器高功率和低栅极驱动的高功率双极开关晶体管驱动器和驱动器功率。

特点

VDSS=100V,R DS(on) =18m?,I D =59A

超低电阻

静态分级

175°C任务温度

疾速切换

全额外雪崩

产物型号：KIA3710

任务体例：59A/100V

漏源电压：100V

栅源电压：±20V

脉冲漏极电流：240A

热电阻：62℃/W

漏源击穿电压：100V

温度系数：0.10V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：2990 PF

输入电容：3000 PF

回升时候：60 ns

封装情势：TO-220、TO-263

	KIA3710（59A/100V）
产物编号	KIA3710/B/Z/ZP
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	功率MOSFET的设想接纳沟槽规划为根本的工艺。与差别来历的规范整机比拟，进步了机能。
产物特点	VDSS=100V,R DS(on) =18m?,I D =59A 超低电阻静态分级 175°C任务温度疾速切换全额外雪崩
合用规模	MOSFET在开关稳压器的设想，利用开关变更器、机电、继电器高功率和低栅极驱动的高功率双极开关晶体管驱动器和驱动器功率。
封装情势	TO-220、TO-263
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厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com