KIA7N65参数

功率MOSFET是用起亚半进步前辈的立体条形DMOS工艺出产。这类进步前辈的手艺出格合适于最小化状况电阻，供给优胜性。开关机能，并蒙受高能量脉冲在雪崩和弛刑情势。很是合用于高效力开关电源，有源功率因数校订/基于半桥拓扑。

KIA7N65特点

RDS(on) =1.2@? VGS=10V

低栅极电荷（典范的29nc）

高耐用性

疾速切换

100%雪崩测试

改良的dt／dt才能

产物型号：KIA7N65

任务体例：7A/650V

漏源电压：650V

栅源电压：±30V

泄电留连续：7.0A

脉冲漏极电流：28A

雪崩能量：230mJ

耗散功率：147W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：650V

温度系数：0.7V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：1000 PF

输入电容：110 PF

回升时候：50 ns

封装情势：TO-220、TO-220F、TO-263

	KIA7N65（7A/650V）
产物编号	KIA7N65/HB/HF
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	功率MOSFET是用起亚半进步前辈的立体条形DMOS工艺出产。这类进步前辈的手艺出格合适于最小化状况电阻，供给优胜性。开关机能，并蒙受高能量脉冲在雪崩和弛刑情势。很是合用于高效力开关电源，有源功率因数校订/基于半桥拓扑。
产物特点	RDS(on) =1.2@? VGS=10V 低栅极电荷（典范的29nc）高耐用性疾速切换 100%雪崩测试改良的dt／dt才能
合用规模	首要合用于高效力开关电源，有源功率因数校订/基于半桥拓扑。
封装情势	TO-220、TO-220F、TO-263
PDF文件	【间接在线预览】
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厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总5页