KIA10N65参数

功率MOSFET接纳进步前辈的立体条形DMOS工艺出产的起亚。这类进步前辈的手艺出格合适于最小化状况电阻，供给优胜的开关机能，和在雪崩和换流情势下蒙受高能量脉冲。这些器件很是合适于高效力开关电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校订。

KIA10N65特点

RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V

低栅极电荷（典范的90nc）

高耐用性

疾速切换

100%雪崩测试

改良的dt／dt才能

产物型号：KIA24N50

任务体例：24A/500V

漏源电压：500V

栅源电压：±30V

泄电留连续：24A

脉冲漏极电流：96A

雪崩能量：1150mJ

耗散功率：290W

热电阻：40℃/W

漏源击穿电压：500V

温度系数：0.5V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：3500 PF

输入电容：520 PF

回升时候：35 ns

封装情势：TO-3P

	KIA24N50（24A 500V）
产物编号	KIA24N50/HH
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	功率MOSFET接纳进步前辈的立体条形DMOS工艺出产的起亚。这类进步前辈的手艺出格合适于最小化状况电阻，供给优胜的开关机能，和在雪崩和换流情势下蒙受高能量脉冲
产物特点	RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V 低栅极电荷（典范的90nc）高耐用性疾速切换 100%雪崩测试改良的dt／dt才能
合用规模	首要合适于高效力开关电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校订
封装情势	TO-3P
PDF文件	【间接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总5页