KIA10N65参数

KIA10N65 N沟道加强型硅栅功率MOSFET的设想用于高压、高速功率开关利用，如高效力开关电源用品，有源功率因数校订电子镇流器基于半桥拓扑。

KIA10N65特点

RDS(on) =0.65? @ V GS =10V

低栅极电荷（典范的48nc）

疾速切换的才能

雪崩能量

改良的dt／dt才能

产物型号：KIA10N65

任务体例：10A/650V

漏源电压：650V

栅源电压：±30V

泄电留连续：10A

脉冲漏极电流：40A

雪崩能量：709mJ

耗散功率：52W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：650V

温度系数：0.7V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：1650 PF

输入电容：1665 PF

回升时候：70 ns

封装情势：TO-220F

	KIA10N65（10A 650V）
产物编号	KIA10N65/HF/HP
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	KIA10N65 N沟道加强型硅栅功率MOSFET的设想用于高压、高速功率开关利用，如高效力开关电源用品，有源功率因数校订电子镇流器基于半桥拓扑。
产物特点	RDS(on) =0.65? @ V GS =10V 低栅极电荷（典范的48nc）疾速切换的才能雪崩能量改良的dt／dt才能
合用规模	合用于高压、高速功率开关利用，如高效力开关电源用品，有源功率因数校订电子镇流器基于半桥拓扑。
封装情势	TO-220F
PDF文件	【间接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF页总数	总5页