1N60H mos管现货 KIA1N60H 1A/600V PDF文件下载-KIA mos管

信息来历：本站　日期：2018-03-24　

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KIA1N60H N沟道加强型硅栅功率MOSFET的设想高电压，高速功率开关利用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，机电驱动器，继电器驱动法式。

1A, 600V, RDS(on) = 9.3? @VGS = 10V

低栅极电荷（典范的5.0nc）

高耐用性

疾速切换的才能

雪崩能量

改良的dt／dt才能

产物型号：KIA1N60H

任务体例：1A/600V

漏源电压：600V

栅源电压：±30A

泄电留连续：1.0A

脉冲漏极电流：4.0A

雪崩电流：2.8A

雪崩能量：33mJ

耗散功率：28W

热电阻：50℃/V

漏源击穿电压：600V

温度系数：6.6V/℃

栅极阈值电压：2.2V

输入电容：120PF

输入电容：20PF

回升时候：21ns

封装情势：TO-92、251、252

	KIA1N60H
产物编号	KIA1N60H 1A/600V
产物特点	1A, 600V, R DS(on) = 9.3? @VGS = 10V 低栅极电荷（典范的5.0nc）高耐用性疾速切换的才能雪崩能量改良的dt／dt才能
合用规模	合用于高速功率开关利用，如开关稳压器，开关，转换器，螺线管，机电驱动器，继电器驱动法式。
封装情势	TO-92、251、252
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厂家	KIA（可易亚）
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总3页