4660A mos管现货供给商 KIA4660A 7.5A/600V PDF文件下载-KIA 官网
信息来历:本站 日期:2018-03-16
KIA4660A是功率MOSFET接纳起亚`立体条形DMOS工艺出产的进步前辈。这进步前辈的手艺已出格定制,以尽可能削减对国度的阻力,供给优胜的。开关机能,在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲。这些器件很是合用于高效力开关电源,有源功率因数校订。基于半桥拓扑。
RDS(on) =1.0?(典范值) @ VGS =10V
超低栅极电荷(典范的27nc)
低反向转移电容
疾速切换的才能
雪崩能量测试
改良的dv / dt的才能,高耐用性
产物型号:KIA4660A
任务体例:7.5A/600V
漏源电压:600V
栅源电压:±30A
泄电留连续:7.5A
脉冲漏极电流:28A
雪崩能量:215mJ
耗散功率:1.1W/℃
热电阻:62.5℃/W
漏源击穿电压:600V
温度系数:0.6V/℃
栅极阈值电压:2.0V
输入电容:900PF
输入电容:100PF
回升时候:45ns
封装情势:TO-263
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KIA4660A |
| 产物编号 | KIA4660A 7.5A/600V |
| 产物描写 |
KIA4660A是功率MOSFET接纳起亚`立体条形DMOS工艺出产的进步前辈。这进步前辈的手艺已出格定制,以尽可能削减对国度的阻力,供给优胜的。开关机能,在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲。这些器件很是合用于高效力开关电源,有源功率因数校订。基于半桥拓扑。 |
| 产物特点 |
RDS(on) =1.0?(典范值) @ VGS =10V 超低栅极电荷(典范的27nc) 低反向转移电容 疾速切换的才能 雪崩能量测试 改良的dv / dt的才能,高耐用性 |
| 封装情势 | TO-263 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | danandtravis.com |
| PDF页总数 | 总6页 |
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