KIA12N60H产物描写

KIA12n60hN沟道加强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关利用，如高效力开关电源，基于半桥拓扑布局的有源功率因数校订电子镇流器。

2、特点

RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V

低栅极电荷（典范的52nc）

疾速切换的才能

雪崩能量

改良的dt／dt才能

3、产物参数

漏极至源极电压（VDSS）：600

栅源电压（VGSS）：±30

漏极电流（持续）（lD）：Tc=25℃ 12A Tc=100℃ 7.4A

耗散功率（PD）：231

任务温度：±150

击穿电压温度：0.7

输出电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz

回升时候：VDD=300V，ID=12A，RG=25Ω

4、KIA12N60H产物规格

	KIA12N50（12A 60V）
产物编号	KIA12N60/F/HF/HP
产物工艺	kia12n60hN沟道加强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关利用，如高效力开关电源，基于半桥拓扑布局的有源功率因数校订电子镇流器。
产物特点	RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V 低栅极电荷（典范的52nc）疾速切换的才能雪崩能量改良的dt／dt才能
合用规模	高电压，高速功率开关利用，如高效力开关电源，基于半桥拓扑布局的有源功率因数校订电子镇流器
封装情势	TO-220、Yo-220F
PDF文件	【间接在线预览】
LOGO
厂家	KIA 原厂家
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总7页