6N65参数

KIA 6N65HDN沟道加强型硅栅功率MOSFET的设想对高电压，高速功率开关利用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，机电驱动器，继电器驱动法式。

特色

RDS（ON）= 1.9?@ V GS = 10v

低栅极电荷（典范的16nc）

高耐用性

疾速切换的才能

雪崩能量

改良的dt／dt才能

产物型号：KIA6N65HD

任务体例：5.5A/650V

漏源电压：650V

栅源电压：±30V

泄电留连续：5.5*A

脉冲漏极电流：16.0A

雪崩能量：300mJ

耗散功率：80W

热电阻：50*（110）℃/W

漏源击穿电压：650V

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：620 PF

输入电容：65 PF

回升时候：45 ns

封装情势：TO-252

	KIA6N65（5.5A/650V）
产物编号	KIA6N65/HD
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	KIA 6N65HDN沟道加强型硅栅功率MOSFET的设想对高电压，高速功率开关利用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，机电驱动器，继电器驱动法式。
产物特点	RDS（ON）= 1.9?@ V GS = 10v 低栅极电荷（典范的16nc）高耐用性疾速切换的才能雪崩能量改良的dt／dt才能
合用规模	首要合用于高电压，高速功率开关利用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，机电驱动器，继电器驱动法式
封装情势	TO-252
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LOGO
厂家	KIA 原厂家
网址	danandtravis.com
PDF页总数	总5页