KIA6N70参数

功率MOSFET接纳起亚的高等立体条形DMOS工艺出产。这进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的。开关机能，在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲。这些器件很是合用于高效力开关电源，有源功率因数校订。基于半桥拓扑。

特点

RDS（ON）典范值= 1.8?@ V GS = 10v

低栅极电荷（典范的16nc）

高耐用性

疾速切换

100%雪崩测试

改良的dt／dt才能

产物型号：KIA6N70

任务体例：5.8A/700V

漏源电压：700V

栅源电压：±30V

泄电留连续：5.8*A

脉冲漏极电流：150mJ

雪崩能量：4.8A

耗散功率：95W

热电阻：110℃/W

漏源击穿电压：700V

温度系数：0.7V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：650 PF

输入电容：95 PF

回升时候：40 ns

封装情势：TO-251、TO-252、TO-220F

	KIA6N70（5.8A 700V）
产物编号	KIA6N70/HD/HF/HU/SU
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	功率MOSFET接纳起亚的高等立体条形DMOS工艺出产。这进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的。开关机能，在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲。
产物特点	RDS（ON）典范值= 1.8?@ V GS = 10v 低栅极电荷（典范的16nc）高耐用性疾速切换 100%雪崩测试改良的dt／dt才能
合用规模	首要合用于高效力开关电源，有源功率因数校订。基于半桥拓扑。
封装情势	TO-251、TO-252、TO-220F
PDF文件	【间接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总5页数