KIA原厂家 KIA3414 N沟道 4.2A /20V PDF文件下载-KIA官网
信息来历:本站 日期:2018-03-13
KIA3414接纳进步前辈的沟槽手艺,供给良好的RDS(on),低栅极电荷和低闸极电压为1.8v.装配操纵,合用作为负荷开关或在PWM。规范KIA3414无铅产物。(合适ROHS)。KIA3414是一种绿色产物订购选项。KIA3414电不异。
VDS (V)=20V
ID=4.2A
RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A)
RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A)
产物型号:KIA3414
任务体例:4.2A/20V
漏源电压:20V
栅源电压:±12A
泄电留连续:4.2A
脉冲漏极电流:15A
耗散功率:1.4W
热电阻:70℃/W
漏源击穿电压:20V
栅极阈值电压:-0.4V
输入电容:436PF
输入电容:66PF
回升时候:6.3ns
封装情势:SOT-23
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KIA3414 4.2A/20V |
| 产物编号 | KIA3414 N沟道MOSFET |
| 产物特点 |
VDS (V)=20V ID=4.2A RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A) RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A) |
| 合用规模 |
合用作为负荷开关或在PWM |
| 封装情势 | SOT-23 |
| PDF文件 |
【间接在线预览】 |
| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | ww.danandtravis.com |
| PDF总页数 | 总5页 |
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接洽德律风:0755-83888366-8022
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接洽地点:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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