KIA18N50参数

功率MOSFET接纳进步前辈的立体条形DMOS工艺出产的起亚。这进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的。开关机能，在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲。这些器件很是合用于高效力开关电源，有源功率因数校订。基于半桥拓扑。

KIA18N50特点

RDS(on) =0.25? @ VGS=10V

低栅极电荷（典范的16nc）

高耐用性

疾速切换

100%雪崩测试

改良的dv / dt的才能

产物型号：KIA18N50

任务体例：18A/500V

漏源电压：500V

栅源电压：±30V

泄电留连续：18.0*A

脉冲漏极电流：72A

雪崩能量：990mJ

耗散功率：38.2W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：500V

温度系数：0.6V/℃

栅极阈值电压：3.0V

输入电容：2500 PF

输入电容：400 PF

回升时候：190 ns

封装情势：TO-220F、TO-247

	KIA18N50（18A 500V）
产物编号	KIA18N50/HF
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	功率MOSFET接纳进步前辈的立体条形DMOS工艺出产的起亚。这进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的。开关机能，在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲
产物特点	RDS(on) =0.25? @ VGS=10V 低栅极电荷（典范的16nc）高耐用性疾速切换 100%雪崩测试改良的dv / dt的才能
合用规模	产物首要合用于高效力开关电源，有源功率因数校订。基于半桥拓扑。
封装情势	TO-220F、TO-247
PDF文件	【间接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总5页