KIA10N80参数

功率MOSFET接纳进步前辈的立体条形DMOS工艺出产的起亚。这进步前辈已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的开关。机能，在雪崩和换流情势下蒙受高能量脉冲。这些装备很是合适于高效力开关电源，有源功率因数校订的根本上半桥拓扑。

KIA10N80特色

RDS(on) =0.85? @ VGS =10V

低栅极电荷（典范的63nc）

高耐用性

疾速切换的才能

雪崩能量

改良的dt／dt才能

ESD才能进步

产物型号：KIA10N80

任务体例：10A/800V

漏源电压：800V

栅源电压：±25V

泄电留连续：10A

脉冲漏极电流：40A

雪崩能量：350mJ

耗散功率：42W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：800V

温度系数：0.8V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：2230 PF

输入电容：135 PF

回升时候：35 ns

封装情势：TO-220F、TO-3P

	KIA10N80（10N80）
产物编号	KIA10N80/HF/HH
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	功率MOSFET接纳进步前辈的立体条形DMOS工艺出产的起亚。这进步前辈已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的开关。机能，在雪崩和换流情势下蒙受高能量脉冲
产物特点	RDS(on) =0.85? @ VGS =10V 低栅极电荷（典范的63nc）高耐用性疾速切换的才能雪崩能量改良的dt／dt才能 ESD才能进步
合用规模	首要适合于高效力开关电源，有源功率因数校订的根本上半桥拓扑
封装情势	TO-220F、TO-3P
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LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总5页