KIA原厂家mos管 KIA6035A 11A /350V N沟道 PDF文件下载-KIA MOS管

信息来历：本站　日期：2018-03-13　

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这是功率MOSFET接纳起亚`立体条形DMOS工艺出产的进步前辈。这类进步前辈的手艺出格合适于最小化状况电阻，供给优胜性。

开关机能，在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲。这些器件很是合适于高效力开关电源，有源功率因数校订。基于半桥拓扑。

RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷（典范的15nc）

高耐用性

疾速切换的才能

雪崩能量

改良的dt／dt才能

产物型号：KIA6035A

任务体例：11A/350V

漏源电压：350V

栅源电压：±20V

泄电留连续：11A

脉冲漏极电流:9.0A

雪崩能量：423mJ

耗散功率：99W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：350V

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：844PF

输入电容：162PF

回升时候：23.5ns

封装情势：TO-252、TO-220

4、KIA6035A产物规格

	KIA6035A
产物编号	KIA6035A 11A/350V
产物工艺	这是功率MOSFET接纳起亚`立体条形DMOS工艺出产的进步前辈。这类进步前辈的手艺出格合适于最小化状况电阻，供给优胜性。
产物特点	RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v 低栅极电荷（典范的15nc）高耐用性疾速切换的才能雪崩能量改良的dt／dt才能
合用规模	合适于最小化状况电阻，高效力开关电源，有源功率因数校订。基于半桥拓扑。
封装情势	TO-252、TO-220
PDF文件	【间接在线预览】
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厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总5页