KIA原厂家 KIA23P10A P沟道 -23A /-100V PDF文件下载-KIA官网

信息来历：本站　日期：2018-03-12　

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KIA23P10A接纳进步前辈的沟槽MOSFET手艺，供给良好的R DS（上）和门在各类其余利用中利用的电荷。的kia23p10a合适ROHS和格林100% EAS产物的请求，保证全功效靠得住性的核准

RDS（ON）= 78m?（典范值）@ V GS = 10v

100% EAS保证

绿色的可用装备

超低栅电荷

良好的CDV / dt效应递加

进步前辈的高密度沟槽手艺

产物型号：KIA23P10A

任务体例：-23A/-100V

漏源电压：-100V

栅源电压：±20V

泄电留连续：-23A

脉冲漏极电流：-75A

雪崩电流：18.9A

雪崩能量：157.2mJ

耗散功率：96W

热电阻：62℃/W

漏源击穿电压：-100V

温度系数：-0.022V/℃

栅极阈值电压：-1.2V

输入电容：3029PF

输入电容：129PF

回升时候：53.6ns

封装情势：TO-252

	KIA23P10A
产物编号	KIA23P10A -23A/-100V
合用规模	首要用于在无线的其余利用法式的各类栅极电荷。kia23p10a合适ROHS环保和绿色产物的请求，保证100% EAS全功效靠得住性的核准。
产物特点	RDS（ON）= 78m?（典范值）@ V GS = 10v 100% EAS保证绿色的可用装备超低栅电荷良好的CDV / dt效应递加进步前辈的高密度沟槽手艺
封装情势	TO-252
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厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
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