KIA18N20 N沟道 MOSFET 18A /200V TO-220、TO-220F封装最新规格
信息来历：本站 日期：2018-02-08
RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V
经由过程无铅认证
低电阻
低栅极电荷
峰值电流与脉宽曲线
利用
电视/显现器
其余利用
KIA18N20参数
产物型号：KIA18N20
任务体例：18A/200V
漏源电压：200V
栅源电压：±30V
泄电留连续：18A
脉冲漏极电流：6A
雪崩电流：8A
雪崩能量：950mJ
耗散功率：156W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：200V
温度系数：0.25V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1140PF
输入电容：80PF
回升时候：33 ns
封装情势：TO-220、TO-220F
 |
KIA18N20/AF/AP |
| 产物编号 | KIA18N20（18A200V） |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产物特点 |
RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V 经由过程无铅认证 低电阻 低栅极电荷 峰值电流与脉宽曲线 |
| 合用规模 |
首要合用于电视/显现器、其余利用 |
| 封装情势 | TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
 【间接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | danandtravis.com |
| PDF页总数 | 总6页 |
接洽体例：邹师长教师
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