KIA6410参数目标

功率MOSFET接纳起亚的高等立体条形DMOS工艺出产。这进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的。开关机能，在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲。这些器件很是合用于高效力开关电源，有源功率因数校订。基于半桥拓扑。

特点

RDS（ON）典型值= 1.8mΩ@ VGS = 10v

低栅极电荷（典范的16nc）

高耐用性

疾速切换

100%雪崩测试

改良的dt／dt才能

参数

产物型号：KIA6N70

任务体例：15A/100V

漏源电压：100V

栅源电压：±20V

泄电留连续：15A

脉冲漏极电流：60V

耗散功率：50W

热电阻：62℃/W

漏源击穿电压：100V

温度系数：0.05V/℃

栅极阈值电压：1.2V

输入电容：1480PF

输入电容：480PF

回升时候：9.5ns

封装情势：TO-252、TO-251、TO-220

	KIA6410
产物编号	KIA6410/AP/AU
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	功率MOSFET接纳起亚的高等立体条形DMOS工艺出产。这进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的。开关机能，在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲。
产物特点	RDS（ON）典范值= 1.8mΩ@ VGS = 10v 低栅极电荷（典范的16nc）高耐用性疾速切换 100%雪崩测试改良的dt／dt才能
合用规模	首要合用于高效力开关电源，有源功率因数校订。基于半桥拓扑。
封装情势	TO-220、TO-251、TO-252
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LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
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