4N60mos管现货供给商 KIA4N60 4A/600V参数 PDF文件下载-KIA 官网

信息来历：本站　日期：2018-03-21　

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KIA4N60HN沟道加强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关利用，如开关稳压器，开关变更器，螺线管，机电驱动器，继电器驱动法式

RDS（ON）= 2.3Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷（典范的13.5nc）

高耐用性

疾速切换的才能

雪崩能量

改良的dt／dt才能

产物型号：KIA4N60

任务体例：4A/600V

漏源电压：600V

栅源电压：±30A

泄电留连续：4.0A

脉冲漏极电流：16A

雪崩电流：9.3mJ

雪崩能量：180mJ

耗散功率：93W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：600V

温度系数：0.6V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：500PF

输入电容：45PF

回升时候：32ns

封装情势：TO-251、252、220、220F、262

	KIA4N60
产物编号	KIA4N60 4A/600V
产物特点	RDS（ON）= 2.3Ω@ VGS = 10v 低栅极电荷（典范的13.5nc）高耐用性疾速切换的才能雪崩能量改良的dt／dt才能
合用规模	合用功率开关利用，如开关稳压器，开关变更器，螺线管，机电驱动器，继电器驱动法式等
封装情势	TO-251、252、220、220F、262
PDF文件	【间接在线预览】
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厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF页总数	总6页