50N03现货供给商 KIA50N03 PDF文件 50N03参数材料-KIA 官网
信息来历：本站 日期：2018-01-23
进步前辈沟槽加工手艺
超低电阻高密度电池设想
充实表征雪崩电压和电流
利用参数：
VDSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A
Vds=30V
RDS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
RDS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
产物称号：KIA 50N03
FET极性：N沟道
漏源电压(vdss):30V
栅源电压（vgss)：±20V
持续泄电流：（ld）：50A
脉冲漏极电流：200A
耗散功率（pd）：60W
漏源击穿电压：30V
栅极阈值电压（Max）：±100nA
封装：TO-251、TO-252、TO-220
 |
50N03（50A 30V） |
| 产物编号 |
KIA50N03/AD/AU |
| 产物特点 |
进步前辈沟槽加工手艺 超低电阻高密度电池设想 充实表征雪崩电压和电流 |
| 封装情势 | TO-251、TO-252、TO-220 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | danandtravis.com |
| PDF总页数 |
总3页 |
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