4N65H参数概述

这是功率MOSFET接纳先进的立体条形DMOS工艺出产的起亚。这进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对的阻力，供给优胜的。

开关机能，在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲。这些器件很是合用于高效力开关电源，有源功率因数校订、基于半桥拓扑。

特点：

RDS(on) =2.5?@ VGS=10V

低栅极电荷（典范的16nc）

高耐用性

疾速切换

100%雪崩测试

改良的dt／dt才能

参数：

产物型号：KIA4N65H

极性：N沟道MOSFET

漏源电压(vdss):650V

栅源电压（vgss)：±30V

持续泄电流：（ld）：3.0A

脉冲漏极电流：12A

雪崩电流：210mJ

雪崩能量：5.8mJ

耗散功率（pd）：58W

热电阻：110℃/W

漏源击穿电压：650V

温度系数：0.65V/℃

栅极阈值电压（min）：100nA

	4N65H（4A 650V）
产物编号	KIA4N65/H/HD/HF/HU
FET极性	N沟道
产物工艺	功率MOSFET接纳进步前辈的立体条形DMOS工艺出产的起亚。这进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对的阻力，供给优胜的。
产物特点	RDS(on) =2.5??@ V GS =10V 低栅极电荷（典范的16nc）高耐用性疾速切换 100%雪崩测试改良的dt／dt才能
合用规模	开关机能，在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲。这些器件很是合用于高效力开关电源，有源功率因数校订、基于半桥拓扑。
封装情势	TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
PDF文件	【间接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总5页数