7N80现货供给商 KIA7N80 7A/800V KIA7N80 PDF文件下载 -KIA 官网

信息来历：本站　日期：2018-01-30　

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KIA7N80参数

功率MOSFET接纳SL半立体条形DMOS工艺出产的进步前辈。这进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的。

开关机能，并蒙受高能量脉冲在雪崩和弛刑情势。器件很是合适高效力开关情势电源，有源功率因数校订基于半桥拓扑。

KIA7N80特点

RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V

低栅极电荷（典范的27nc）

高耐用性

疾速切换

100%雪崩测试

改良的dt／dt才能

产物型号：KIA7N80

任务体例：7A/800V

漏源电压：800V

栅源电压：±30V

泄电留连续：7.0A

脉冲漏极电流：28A

雪崩能量：650mJ

耗散功率：167W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：800V

温度系数：1V/℃

栅极阈值电压：3.0V

输入电容：1300 PF

输入电容：120 PF

回升时候：100 ns

封装情势：TO-220、TO-220F

	KIA7N80（7A/800V）
产物编号	KIA7N80/HF
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	功率MOSFET接纳SL半立体条形DMOS工艺出产的进步前辈。这进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的。开关机能，并蒙受高能量脉冲在雪崩和弛刑情势。
产物特点	RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V 低栅极电荷（典范的27nc）高耐用性疾速切换 100%雪崩测试改良的dt／dt才能
合用规模	首要合用于高效力开关情势电源，有源功率因数校订基于半桥拓扑
封装情势	TO-220、TO-220F
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厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF页总数	总6页