KIA9N90参数

N沟道加强型功率场效应晶体管是利用半导体专有的，立体条形DMOS手艺，这类进步前辈的手艺已出格量身定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的开关机能，并蒙受高雪崩和换相情势下的能量脉冲。这些装备很是合适高效力。开关电源，有源功率因数校订，半桥式电子镇流器拓扑。

特色

9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V

低栅电荷（典范的70数控）

Low Crss（典范的14pf）

疾速切换

100%雪崩测试

改良的dt／dt才能

合适RoHS

产物型号：KIA9N90

任务体例：9A/900V

漏源电压：900V

栅源电压：±30V

泄电留连续：9.0A

脉冲漏极电流：36A

雪崩能量：900mJ

耗散功率：280W

热电阻：40℃/W

漏源击穿电压：900V

栅极阈值电压：3.0V

输入电容：2780 PF

输入电容：228 PF

回升时候：130 ns

封装情势：TO-3P、TO-247

	KIA9N90（9A/900V）
产物编号	KIA9N90/HF/Hm/SF
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	N沟道加强型功率场效应晶体管是利用半导体专有的，立体条形DMOS手艺，这类进步前辈的手艺已出格量身定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的开关机能，并蒙受高雪崩和换相情势下的能量脉冲。
产物特征	9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V 低栅电荷（典范的70数控） Low Crss（典范的14pf）疾速切换 100%雪崩测试改良的dt／dt才能合适RoHS
合用规模	首要合用于高效力。开关电源，有源功率因数校订，半桥式电子镇流器拓扑
封装情势	TO-3P、TO-247
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LOGO
厂家	KIA 原厂家
网址	danandtravis.com
PDF页数	总7页