2N60现货供给商 KIA2N60中文材料 PDF文件 2N60参数材料-KIA 官网

信息来历：本站　日期：2018-01-27　

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KIA2N60参数

KIA2N60 N沟道加强型硅栅功率MOSFET的设想高压，高速功率开关利用，如开关稳压器，开关变更器，螺线管，机电驱动器，继电器驱动法式。

KIA2N60特点

RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v

低栅极电荷（典范9NC）

高耐用性

疾速切换的才能

雪崩能量

改良的dt／dt才能

产物型号：KIA2N60

任务体例：2A/600V

漏源电压：600V

栅源电压：±30V

泄电留连续：2.0*A

脉冲漏极电流：8*A

雪崩能量：12mJ

耗散功率：44W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：600V

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：200 PF

输入电容：20 PF

回升时候：25 ns

封装情势：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F

	KIA2N60（2A/600V）
产物编号	KIA2N60/HD/HF/HP/HU/OP/PF/PP/PU/U
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	kia2n60hN沟道加强型硅栅功率MOSFET的设想高压，高速功率开关利用，如开关稳压器，开关变更器，螺线管，机电驱动器，继电器驱动法式
产物特点	RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v 低栅极电荷（典范9NC）高耐用性疾速切换的才能雪崩能量改良的dt／dt才能
合用规模	首要合用于功率开关利用，如开关稳压器，开关变更器，螺线管，机电驱动器，继电器驱动法式
封装情势	TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF页数	总6页数