KIA原厂家mos场效应管 KNP6140A N沟道 10A /400V PDF文件下载-KIA官网
信息来历：本站 日期：2018-03-16
专有的新立体手艺
RDS(ON),典范值=0.35Ω@VGS =10V
低门电荷最小化开关消耗
疾速规复体二极管
镇流器和照明
DC-AC逆变器
其余利用法式
产物型号：KNP6140A
任务体例：10A/400V
漏源电压：400V
栅源电压：±30A
泄电留连续：10A
脉冲漏极电流：6A
雪崩能量：650mJ
耗散功率：140W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：400V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1254PF
输入电容：21PF
回升时候：25ns
封装情势：TO-251、252
 |
KNP6140A N沟道MOSFET |
| 产物编号 | KNP6140A 10A/400V |
| 产物特点 |
专有的新立体手艺 RDS(ON),典范值=0.35Ω@VGS =10V 低门电荷最小化开关消耗 疾速规复体二极管 |
| 利用规模 |
镇流器和照明 DC-AC逆变器 其余利用法式 |
| 封装情势 | TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | danandtravis.com |
| PDF页总数 | 总8页 |
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