2301现货供给商 KIA2301 PDF文件 KIA2301参数设置装备摆设对照-KIA 官网
信息来历：本站 日期：2018-01-29
VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A
VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A
极低RDS（on）的高密度单位设想
取得无铅产物
坚忍靠得住
产物型号：KIA2301
任务体例：-2.8A/-20V
漏源电压：-20V
栅源电压：±8V
持续泄电流：-2.8A
雪崩电流：-1.6A
耗散功率：1.25W
热电阻：100℃/W
漏源击穿电压：-20V
栅极阈值电压：-0.5V
输入电容：415 PF
输入电容：223 PF
回升时候：36ns
封装情势：SOT-23
 |
KIA2301（-2.8A/-20V） |
| 产物编号 | KIA2301/A |
| FET极性 |
P沟道MOSFET |
| 产物特点 |
VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A 极低RDS（on）的高密度单位设想 取得无铅产物 坚忍靠得住 |
| 封装情势 | SOT-23 |
| PDF文件 |
 【间接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | danandtravis.com |
|
PDF页总数 |
总4页 |
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
存眷KIA半导体工程专辑请搜微旌旗灯号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“存眷”
长按二维码辨认存眷
特点
VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A
VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A
极低RDS（on）的高密度单位设想
取得无铅产物
坚忍靠得住
SOT-23封装
产物型号：KIA2301
任务体例：-2.8A/-20V
漏源电压：-20V
栅源电压：±8V
持续泄电流：-2.8A
雪崩电流：-1.6A
耗散功率：1.25W
热电阻：100℃/W
漏源击穿电压：-20V
栅极阈值电压：-0.5V
输入电容：415 PF
输入电容：223 PF
回升时候：36ns
封装情势：SOT-23
 |
KIA2301（-2.8A、-20V） |
| 产物编号 | KIA2301/A |
| FET极性 | P沟道MOSFET |
| 产物特点 |
VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A 极低RDS（on）的高密度单位设想 取得无铅产物 坚忍靠得住 |
| 封装情势 | SOT-23 |
| PDF文件 |
 【间接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | danandtravis.com |
| PDF总页数 | 总4页 |
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8029
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
