IRF730产物参数

IRF730属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF730为设想者供给了转换疾速、坚忍耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。

TO-220封装的IRF730遍及合用于功耗在50W摆布的工贸易利用，低热阻和低本钱的TO-220封装，使IRF730获得业内的遍及承认。SMD-220封装的IRF730合用于贴片装置，比起现有的任何其余贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF730的SMD-220封装可顺应高强度电流的利用。

2、特点
静态dv/dt率

可规复性雪崩测定

疾速转换速度

并行简略单纯

仅需简略驱动

无铅环保

3、IRF730产物参数

持续泄电流、电压：5.5a

持续泄电流、电压：3.5a

泄电流脉冲：22a

功耗：74w

线性降额因数：0.6 / w°C

源电压：±30

二极管规复：4.6v/ns

任务温度：-55 + 150tstg

存储温度规模

焊接温度，10 seconds300（1.6mm案例）°C

封装情势：TO-220, TO-263, TO-262

4、MOSFET选型目标

PartNumbe	VDss(V)	ID（A）	Max RDS(ON) @60%ID(Ω)	Typical RDS(ON) @60%ID(Ω)
IRF840	500	8	0.85	63
IRF7811	30	14	14	17
IRF530	100	14	0.16	26
IRF530	100	17	90	24.7
IRF634	250	8.1	0.45	54
IRF7413	30	13	11	44
IRF3710	100	57	23	86.7
IRf1404	40	162	4	160