MOS管 3706 50A/60V 新产物上线 接待征询-规格书概况 收费送样-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-01-12
RDS(ON)，typ.=9mΩ@VGS=10V
氮气掩护
超低栅极电荷
最好Cdv/dt效应衰减
高等高密度槽手艺
KIA半导体的KNX3706A产物是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，它供给了良好的RDS(ON)和大大都同步降压变更器利用的栅极电荷。KNX3706A知足RoHS和绿色产物的请求，100%EAS保障功效的靠得住性获得承认。并且KIA半导体10几年一向寻求品德第一的出产理念。
型号：KNX3706A
电流：50A
电压：60V
漏源极电压：60V
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：100A
单脉冲雪崩能：72.2MJ
雪崩电流：38A
讨论和贮存温度规模：-55℃至150℃
检查规格书，请点击下图。
接洽体例：邹师长教师
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