irf630场效应管参数规格书-原装正品场效应管 价钱概况-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2019-02-21
IR的第五代HEXFET功率场效应管IRF630接纳进步前辈的工艺手艺制作，具备极低的导通阻抗。IRF630这类特征，加上疾速的转换速度，和以坚忍耐用著称的HEXFET设想，使得IRF630成为极为高效靠得住、利用规模超广的器件。
TO-220封装的IRF630遍及合用于功耗在50W摆布的工贸易利用，低热阻和低本钱的TO-220封装，使IRF630获得业内的遍及承认。D2Pak封装的IRF630合用于贴片装置，比起现有的任何其余贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF630的通孔装置版，合适较低端的利用。
进步前辈的工艺手艺
贴片装置（IRF630NS）
低端通孔装置（IRF630NL）
静态dv/dt率
175℃任务温度
疾速转换速度
轻松并行
仅需简略驱动
无铅环保
漏极电流, Id 最大值：9A
电压, Vds 最大：200V
开态电阻, Rds(on)：0.4ohm
电压 @ Rds丈量：10V
电压, Vgs 最高：3V
功率, Pd：100W
封装范例, 替换：SOT-78B
引脚节距：2.54mm
时候, trr 典范值：170ns
晶体管数：1
晶体管范例：MOSFET
满功率温度：25°C
电容值, Ciss 典范值：540pF
电流, Idm 脉冲：36A
外表装置器件：通孔装置
针脚格局：1G 2+插口 D 3S
阈值电压, Vgs th 最低：2V
阈值电压, Vgs th 最高：4V
接洽体例：邹师长教师
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