KIA7115参数目标

KIA 7115a是机能最高的沟槽N - ch MOSFETs，具备极高的单位密度，为大大都同步buck转换器利用供给了良好的RDSON和栅极电荷。KIA 7115a合适RoHs和绿色产物请求，100 % EAS，功效靠得住性获得承认。

特点

RDS(on)=77mΩ @ VGS=10V

超低栅极电荷

绿色装备可用

良好的Cdv / dt效应降落

进步前辈的高单位密度沟槽手艺

参数

产物型号：KIA7115

任务体例：20A/150V

漏源电压：150V

栅源电压：±20V

泄电留连续：14A

脉冲漏极电流：40A

雪崩电流：18A

雪崩能量：53mJ

耗散功率：72.6W

热电阻：60℃/W

漏源击穿电压：150V

栅极阈值电压：1.2V

输入电容：2285PF

输入电容：110PF

回升时候：8.2 ns

封装情势：TO-251、TO-252

	KIA7115AD/AU
产物编号	KIA7115（20A 150V）
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	KIA 7115a是机能最高的沟槽N - ch MOSFETs，具备极高的单位密度，为大大都同步buck转换器利用供给了良好的RDSON和栅极电荷。
产物特点	RDS(on)=77mΩ @ VGS=10V 超低栅极电荷绿色装备可用良好的Cdv / dt效应降落进步前辈的高单位密度沟槽手艺
封装情势	TO-251、TO-252
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厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
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