KIA16N50参数目标

这类功率MOSFET是利用起亚进步前辈的立体条纹DMOS手艺出产的。这类进步前辈的手艺颠末出格定制，可最大限制地下降导通电阻，供给出色的开关机能，并在雪崩和换向情势下蒙受高能量脉冲。这些器件很是合适于高效力开关情势电源、基于半桥拓扑。

特点

RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V

低栅极电荷(典范45nC )

疾速切换才能

雪崩能量

改良的数字电视/数字电视才能

参数

产物型号：KIA16N50

任务体例：16A/500V

漏源电压：500V

栅源电压：±30V

泄电留连续：16A

脉冲漏极电流：64A

雪崩能量：853mJ

耗散功率：38.5W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：500V

温度系数：0.6V/℃

栅极阈值电压：3.0V

输入电容：2200PF

输入电容：350PF

回升时候：170 ns

封装情势：TO-247、TO-220F、TO-3P

	KIA16N50/HF/HH/HM
产物编号	KIA16N50（16A 500V）
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	功率MOSFET是利用起亚进步前辈的立体条纹DMOS手艺出产的。这类进步前辈的手艺颠末出格定制，可最大限制地下降导通电阻，供给出色的开关机能，并在雪崩和换向情势下蒙受高能量脉冲。
产物特点	RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V 低栅极电荷(典范45nC ) 疾速切换才能雪崩能量改良的数字电视/数字电视才能
合用规模	首要合用于高效力开关情势电源、基于半桥拓扑
封装情势	TO-220F、TO-3P、TO-247
PDF文件	【间接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.danandtravis.com
PDF页总数	总6页