8150原厂MOS管-KNF8150 30A/500V-KNF8150 PDF文件-KIA官网
信息来历：本站 日期：2018-02-15
特点
先进的立体工艺
RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V
低门担任削减开关消耗
坚忍的多晶硅栅布局
利用
无刷直流机电驱动
电焊机
高效开关电源
参数
产物型号：KIA8150
任务体例：30A/500V
漏源电压：500V
栅源电压：±30V
泄电留连续：30A
脉冲漏极电流：18A
雪崩能量：120A
耗散功率：333W
热电阻：50℃/W
漏源击穿电压：500V
栅极阈值电压：2.5V
输入电容：4150 PF
输入电容：500 PF
回升时候：114ns
封装情势：TO-3P
 |
KNH8150 |
| 产物编号 | KNF8150（30A 500V） |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产物特点 |
进步前辈的立体工艺 RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V 低门担任削减开关消耗 坚忍的多晶硅栅布局 |
| 合用规模 |
首要合用于无刷直流机电驱动、电焊机、高效开关电源 |
| 封装情势 | TO-3P |
| PDF文件 |
 【间接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | danandtravis.com |
| PDF页总数 | 总8页 |
接洽体例：邹师长教师
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