场效应管和IGBT有甚么区分

IGBT：IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）构成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件，兼有MOSFET的高输出阻抗和GTR的低导通压降两方面的长处。GTR饱和压下降，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速率快，但导通压降大，载流密度小。

IGBT综合了以上两种器件的长处，驱动功率小而饱和压下降。专业名字为绝缘栅双极型功率管。浅显点说GBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管连系而成。将场效应管做为鞭策管，大功率达林顿管作为输出管。如许二者长处无机的连系成此刻的IGBT管，功率能够做的很大。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。首要有两种范例（juncTIon FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由大都载流子到场导电，也称为单极型晶体管。它属于电压节制型半导体器件。具备输出电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、静态规模大、易于集成、不二次击穿景象、宁静任务地区宽等长处。

场效应管型号功效大全：