6165A现货供给商 KIA6165A 10A/650V PDF文件下载-KIA 官网

信息来历：本站　日期：2018-03-15　

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1、KNX6165A产物描写

KNX6165A通道加强型硅栅功率MOSFET的高电压设想，高速功率开关利用，如高效力开关电源，有源基于半桥拓扑布局的功率因数校订电子镇流器

2、KNX6165A产物特点

合适RoHS

RDS（ON），典范值= 0.6Ω@ VGS=10v

低门电荷最小化开关消耗

疾速规复体二极管

3、KNX6165A产物参数

产物型号：KNX6165A

任务体例：10A/650V

漏源电压：650V

栅源电压：±20V

泄电留连续：10A

脉冲漏极电流：40A

雪崩能量：800mJ

耗散功率：216W

热电阻：62℃/W

漏源击穿电压：650V

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：1554PF

输入电容：153PF

回升时候：31ns

封装情势：TO-220、220F

4、KNX6165A产物规格

	KNX6165A
产物编号	KNX6165A 10A/650V
产物特点	合适RoHS RDS（ON），典范值= 0.6Ω@ VGS=10v 低门电荷最小化开关消耗疾速规复体二极管
产物描写	KNX6165A通道加强型硅栅功率MOSFET的高电压设想，高速功率开关利用，如高效力开关电源，有源基于半桥拓扑布局的功率因数校订电子镇流器
封装情势	TO-220、220F
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厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
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