MOS管选型

比来在推MOS管的进程中，碰到一些题目，最首要的是一个品牌互换参数的对应题目，良多时候咱们只存眷了电流电压知足要求，机能上的相比咱们很少做相比，供大师参考：

与体系相干的主要参数：

在MOS管挑选方面，体系要求相干的几个主要参数是：

1． 负载电流IL。它间接抉择于MOSFET的输出能力；

2． 输出—输出电压。它受MOSFET负载占空比能力限定；

3． mos开关频率FS。这个参数影响MOSFET开关顷刻的耗散功率；

4． MOSFET最大许可任务温度。这要知足体系指定的坚固性目标。

MOSFET设想挑选：

一旦体系的任务前提（负载电流，开关频次，输出电压等）被必定，功率MOSFET在参数方面的挑选以下：

1 RDSON的值。最低的导通电阻，可以或许减小消耗，并让体系较好的任务。可是，较低电阻的MOSFET较高电阻器件。

2 散热。假设空间充足大，可以或许起到内部散热结果，就可以或许以较低资本获得与较低RDSON一样的结果。也可以或许利用表面贴装MOSFET达到一样结果，详见下文第15行。

3 MOSFET组合。假设板上空间许可，偶然候，可以或许用两个较高RDSON的器件并联，以获得不异的任务温度，并且资本较低。

计较MOSFET的功率消耗及其壳温：

在MOSFET任务状况下，有三部分功率消耗：

1． MOSFET在完全掀开今后（可变电阻区）的功率消耗：PON=ILoad2 × RDSON ×占空比ILoad为最大直流输出电流。

2． MOSFET在掀开回升时功率消耗：PTRON= （ILoad × VDS × Tr ×FS）/ 2

3． MOSFET在停止状况下的功耗：PTRON= （ILoad × VDS × Tf ×Fs）/ 2

此中：Tf 是MOSFET的下降时候。

在持续情势开关调度器中，占空比即是 Vout/Vin。

VDS是漏源之间的最大电压，对于非同步转换器，VDS=VIN+VOUT 。对于一个同步转换器，升压MOSFET的VDS=VIN ，降压MOSFET则是VDS=VF 。此中VF是肖特基势垒的正向压降。

咱们现在可以或许计较MOSFET的温度。器件的结温可表现为TA+（PD × θCA）或TA+（PD × θSA）。此中，TA 为情况温度，PD是上述1、2、3项的功耗之和，θCA是由管壳到情况的导热系数，QSA则是从热沉到情况的导热系数。这些公式，都是假设从结到管壳的导热系数（~1℃/W）与其余热阻相比是负的。

不一个简略的方法去挑选MOSFET与热沉分手，使资本最低。因为这里有多种设想挑选适合于变更器体系设想母板。可是，表2中的电子数据，为母板设想员给出了一种便利，便于分解各类挑选，包含准确挑选机能和低资本的折衷。该数据表曾被收进各类电子文本。该数据表表明了两种挑选方法：

1）飞兆FDP7030L 型MOSFET，适合于升压与降压利用；
2）飞兆FDP6030L 型MOSFET，一样适合于升压和降压利用。现将这份数据表内容遵照行序列别离诠释以下：

1 升压利用的MOSFET导通电阻值RDSON，来历于MOSFET数据手册；

2 FET的回升时候，来历于MOSFET数据手册；

3 FET的下降时候，来历于MOSFET数据手册。设想者应当寄望到，这个数据表为产物规范书中的回升和下降时候，理论观察到的能够会大两倍，以是，开关时候的消耗能够会大大地小于计较出来的。

4 降压MOSFET的导通电阻值RDSON，来历于MOSFET数据手册

5 最大负载电流，抉择于利用；

6 最高情况温度，比方40℃；

7 最高管壳温度。这里是指在相比安然的任务状况下，其温度不超出100℃；

8 开关频次的值。固然较高的开关频次导致较大的功耗，这个数值也被其余诸如输出电流等参数所限定。此参数的典范值的规模在200KHZ到300KHZ之间；

9 FET的输出电压。许可规模在5V—12V之间；

10 输出电压值。输出和输出电压抉择了导通时候；

11 占空比。这是一个不必定的规模，对于降压利用的MOSFET来讲，占空比可用（1—VIN/VOUT）来表现。

12 升压利用的功率MOSFET总功耗计较包含了开关顷刻脉冲和导通时的两部分功率；

13 降压利用MOSFET的总功耗；

14 热阻。这计较闪现，对于升压MOSFET，为了知足最高壳温要求，需要如斯大的热沉，各类前提列表给出；

15 升压利用的MOSFET的热沉（散热片）举荐。这一栏给出了与热阻婚配的典范的散热片。

寄望：这一栏不颠末计较，并且必需利用中被考据；

16 降压利用的MOSFET的热阻；

17 降压利用的MOSFET的。热沉（散热片）举荐。

mos管选型

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