剖析CMOS器件特色与电源电压、温度和特色等 KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2017-08-14
CMOS器件的电学特色
MOS器件的特色受电源电压和情况温度的影响，不过因为组成CMOS的p沟、n沟晶体管受影响爆发变更的状态不异，其成果在特色方面偶然的确不变更。比方，输出输出电压特色受温度的影响很小，并且即使电源电压变更，低电平／高电平输出电压与电源电压之比（比方，VIH＝0.7XVDD，VIL＝0.3VDD）不若何变更。这是它的特色。静态任务时花费电流（FIN-IDD)的特色首要受等效外部电容(CPD)安排，也不若何受电源电压和温度的影响。
对于CMOS器件特色与电源电压、温度的依靠干系，表13.1和表13.2别离列出DC特色和AC特色。思考到器件的电学特色随情况温度的变更，在电子装备的电路设想中，必需留有充足的设想余量。
以CMOS标准逻辑中的门IC(2输出ANAND门(TC74VHCOOF））例，图13.1、图13.2别离示出它们典范的DC特色和AC特色。在与电源电压干系密切的耐压、泄电流有关特色、传输提早时候特色等方面，用Log标度表现。
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