大电流mos管

因为功率MOSFET热不变性好，故比双极型晶体管并联毗连简略。但是并联毗连MOSFET用于高速开关则末必简略，从景象看并联毗连会产生以下两个题目：

1）电流会合中某一个器件中。

2 ）寄生振荡。

大电流mos管

并联毗连方面的题目

参数

Lo：栅、导线电感

LD：漏、导线电感

LS：源、导线电感

Cmi：密勒电容

C_{GS：栅、源间电源}

ra：栅、电阻（多晶硅）

（1）电流会合到某一个器件中

这是因为并联毗连的器件中的某一个器件早于或迟于别的器件导通或断开而引发的。导通、断开的时辰差别是因为器件间的阈值电压和正向传输导纳等参数的差别而引发。图1标明把具备差别VGS（th）和 g.f .s 的功率MOSFET并联跟尾时产生电流不均衡的一个比方。

驱动级的输入阻抗大的时辰，电流不均衡的产生时辰由功率MOSFET的输入电容Ciss而抉择。别的，并联毗连的全数器件导通以后，流到各器件的电流与Rds（on）成正比。

( 2 ）寄生振荡

如把功率MOSFET的栅极间接并联跟尾，就经常产生寄生振荡。如图2所示，颠末各个器件的漏、栅间电容（密勒电容）和栅极引线电感组成谐振电路。对于这个谐振电路的Q，也即电抗器（ L 、C ）对电阻之比（Q = i∞/ R ）很是大，简略产生寄生振荡。

从以下两个方面采用方法：

1)东西的遴选

2)装配上的斟酌

·并联毗连及方法

( 1）把功率MOSFET用作开关器件时，不必过于稳重斟酌，因为功率MOSFET的最大脉冲电流许可为直流额外值的 3-4倍，只要死力减少驱动级的输入阻抗就行．把功率MOSFET用在线性电路时，只遴选统一批产物是不行的，与双极型晶体管一样外加源电阻使之均衡是很有须要的．

大电流mos管

( 2 ）装配方法

选用低电感布线是固然的，但在并联毗连中仅用铜板是不行的，因为因大众阻扰产生的电压使栅、源间电压不能均衡，为了避免这点，并联毗连的各个器件应是完全持平的布线，应如图3那样用对称的布线，但因装配上的束缚，不行能用对称布钱时，这时候同轴的（多股绞合线、带状线）布线也是很有效的。如图4那样，颠末薄的绝缘膜把铜板制成的漏和源的布线。

别离做成多层布局，则因为布线产生电感的一路也产生电容，而组成图5的等效电路。由电感产生的电压颠末电容传输使各个东西的栅、源间电压则变得持平。因为功率MOSFET的导通电阻和耐压有以下的接洽，即Rds（on）∞BVds2 .4-2.7以是在总芯片面积持平的环境下，如把几个高压MOSFET串连毗连，比1个高耐压MOSFET的导通电阻低。图1标明串连毗连个数和导通电阻降落率之间的接洽。今后图中可以或许看出，用串连跟尾比进步每一个功率MOSFET的耐压更有优胜性。但是，跟着串连毗连MOSFET 的个数的增加，驱动电路变得庞杂，从本钱和装配上斟酌，2-5个MOSFET的串连跟尾较为适合。

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接洽体例：邹师长教师