KIA 原厂 KNH3730A TO-3P MOSFET，50A/300V，Rds (on)≤88mΩ，雪崩能量 3044m...KIA 原厂 KNH3730A TO-3P MOSFET，50A/300V，Rds (on)≤88mΩ，雪崩能量 3044mJ，替换 TK50J30D/IXFH50N30Q3，交期稳、本钱优，处理电源浪涌击穿痛点。
KIA原厂KND4390A/KNF4390A高压MOSFET，900V/4A规格，兼容4N90系列，TO-252/TO-...KIA原厂KND4390A/KNF4390A高压MOSFET，900V/4A规格，兼容4N90系列，TO-252/TO-220F双封装，低Rds(on)、快规复二极管，处理电源发烧/EMI超标痛点，国产替换首选
KIA KCX017N10N/KCT017N10N 100V/259A N 沟道 MOSFET，TO-263/TOLL 双封装，1....KIA KCX017N10N/KCT017N10N 100V/259A N 沟道 MOSFET，TO-263/TOLL 双封装，1.4-1.6mΩ 超低 Rds (on)，处理大电流发烧、效力低痛点，合用于机电节制、BMS、UPS 等...
KNY3903A DFN5×6封装30V/85A MOSFET，Rds(on)低至4.0mΩ，处理传统MOS管发烧炸...KNY3903A DFN5×6封装30V/85A MOSFET，Rds(on)低至4.0mΩ，处理传统MOS管发烧炸机、空间缺乏、效力低题目，适配BMS掩护板、机电驱动、快充电源，国产替换优选。
KCB040N10N TO-263 100V/172A MOSFET，Rds(on)仅3.4mΩ，处理传统MOS管发烧炸机...KCB040N10N TO-263 100V/172A MOSFET，Rds(on)仅3.4mΩ，处理传统MOS管发烧炸机、电流缺乏题目，适配机电驱动、UPS、BMS掩护板，国产替换优选。
KND3403B TO-252封装30V 85A MOSFET，Rds(on)低至4.5mΩ，耐低温、低发烧，处理...KND3403B TO-252封装30V 85A MOSFET，Rds(on)低至4.5mΩ，耐低温、低发烧，处理传统MOS管过热炸机、电流缺乏、效力低题目，适配机电驱动/电源办理/BMS掩护板。
