替换 Infineon 100V MOSFET，KIA KCX017N10N 参数不虚标
信息来历：本站 日期：2026-05-19
TO-263/TOLL 双封装，本钱降 20%
| 名目 | 申明 |
|---|---|
| 产物型号 | KCX017N10N（KCB017N10N/KCT017N10N） |
| 封装范例 | TO-263 / TOLL 两种封装可选 |
| 焦点手艺 | 接纳Geener进步前辈MOS工艺手艺 |
| 关头上风 | 极低导通电阻、优良FOM值、JEDEC认证 |
| 测试认证 | 100% DVDS测试、100%雪崩测试、RoHS/无卤 |
| 典范利用 | 机电节制/电池办理/UPS不中断电源 |
| 参数称号 | 标记 | 参数值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 100 | V |
| 持续漏极电流(Tc=25℃) | ID | 259 | A |
| 持续漏极电流(Ta=25℃) | ID | 28 | A |
| 持续漏极电流(Tc=100℃) | ID | 164 | A |
| 脉冲漏极电流(Tc=25℃) | ID(pulse) | 1036 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1365 | mJ |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 耗散功率(Tc=25℃) | Ptot | 250 | W |
| 任务/存储结温 | TJ, Tstg | -55~+150 | ℃ |
| 参数称号 | 标记 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RthJC | 0.5 | ℃/W |
| 结-情况热阻(最小焊盘) | RthJA | 40 | ℃/W |
| 参数称号 | 标记 | 前提 | 参数规模 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | Min:100 | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250uA | 2.2~3.8(典范3) | V |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | Max:1 | uA |
| 栅源泄电流 | IGSS | VGSGS=±20V, VDDS=0V | Max:±100 | nA |
| 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=100A(TO-263) | 典范1.6, 最大2.0 | mΩ |
| VGS=10V, ID=100A(TOLL) | 典范1.4, 最大1.7 | mΩ | ||
| 跨导 | gfs | VDS=5V, ID=100A | 典范238 | S |
| 参数称号 | 标记 | 前提 | 典范值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V, VDS=50V, f=1MHz | 10120 | pF |
| 输入电容 | Coss | 1360 | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | 50 | pF | |
| 栅极总电荷 | QG | VGS=10V, VDS=50V, ID=50A | 176 | nC |
| 栅源电荷 | QGS | 47 | nC | |
| 栅泄电荷 | QGD | 54 | nC | |
| 守旧提早时候 | td(on) | VGS=10V, VDD=50V, RG_ext=4.7Ω | 85 | ns |
| 回升时候 | tr | 137 | ns | |
| 关断提早时候 | td(off) | 92 | ns | |
| 降落时候 | tf | 98 | ns | |
| 栅极电阻 | RG | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.2 | Ω |
| 参数称号 | 标记 | 前提 | 参数规模 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 体二极管正向压降 | VSD | VGS=0V, ISD=50A | 典范0.9, 最大1.2 | V |
| 体二极管反向规复时候 | trr | IF=20A, dI/dt=100A/μs | 典范79 | ns |
| 体二极管反向规复电荷 | Qrr | 典范180 | nC |
| 型号后缀 | 丝印 | 封装 | 包装 | 数目 |
|---|---|---|---|---|
| KCB017N10N | KCB017N10N | TO-263 | 卷带包装 | 1000pcs/卷 |
| KCT017N10N | KCT017N10N | TOLL | 卷带包装 | 2000pcs/卷 |
| 宣扬亮点 | 案牍申明（≤35字/行） |
|---|---|
| 超低导通电阻 | TO?263典范1.6mΩ、TOLL典范1.4mΩ，消耗更低 |
| 超大电流才能 | Tc=25℃持续259A，脉冲1036A，功率密度高 |
| 进步前辈工艺手艺 | Geener进步前辈MOS工艺，FOM优良，能效更优 |
| 高靠得住认证 | 100% UIS/雪崩测试，RoHS无卤，JEDEC认证 |
| 双封装兼容 | TO?263（KCB）/TOLL（KCT），适配差别散热需要 |
| 典范利用处景 | 机电节制、BMS、UPS、储能、产业电源优选 |
| 参数 | 标记 | TO?263（KCX/KCB） | TOLL（KCT） | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 100 | 100 | V |
| 持续漏极电流（Tc=25℃） | ID | 259 | 259 | A |
| 导通电阻（VGS=10V） | RDS(on) | 1.6（typ）/2.0（max） | 1.4（typ）/1.7（max） | mΩ |
| 栅极总电荷 | QG | 176 | 176 | nC |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1365 | 1365 | mJ |
| 任务结温 | TJ | ?55~+150 | ?55~+150 | ℃ |
| 型号 | 封装 | VDS | ID（Tc） | RDS(on)@10V | 特色 |
|---|---|---|---|---|---|
| KIA KCX017N10N | TO?263 | 100V | 259A | 1.6mΩ（typ） | 低阻大电流，性价比高 |
| KIA KCT017N10N | TOLL | 100V | 259A | 1.4mΩ（typ） | 更低阻，散热更优 |
| Infineon IPTC019N10NM5 | TOLL | 100V | 238A | 1.9mΩ（typ） | 国际品牌，电流略低 |
| Renesas RBA250N10CHPF | TO?263 | 100V | 250A | 2.4mΩ（max） | 车规级，电阻偏高 |
| 飞虹 FHS250N1F2A | TO?263 | 100V | 250A | 2.5mΩ（typ） | 国产替换，电阻偏高 |
| FMC01H250LL | TOLL | 100V | 250A | 2.3mΩ（typ） | TOLL国产，电阻偏高 |
| 参数 | 标记 | 数值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 100 | V |
| 持续漏极电流（Ta=25℃） | ID | 28 | A |
| 持续漏极电流（Tc=100℃） | ID | 164 | A |
| 脉冲漏极电流 | ID(pulse) | 1036 | A |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 耗散功率（Tc=25℃） | Ptot | 250 | W |
| 参数 | 标记 | 测试前提 | 典范/最大 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | Min 100 | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2.2~3.8（typ3） | V |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=100V,VGS=0V | Max 1 | μA |
| 型号 | 丝印 | 封装 | 包装 | 数目 |
|---|---|---|---|---|
| KCB017N10N | KCB017N10N | TO?263 | 卷带 | 1000pcs/卷 |
| KCT017N10N | KCT017N10N | TOLL | 卷带 | 2000pcs/卷 |
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
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