KNY3903A DFN5×6 30V 85A MOSFET 低内阻功率管
信息来历：本站 日期：2026-05-18
4.0mΩ超低内阻｜小体积大电流｜BMS/机电/快充公用
KNY3903A 是KIA推出的N沟道加强型功率MOSFET，接纳进步前辈工艺制作，具有极低的导通电阻、低Crss、疾速开关特征，经由过程100%雪崩测试，抗dv/dt才能优良，合适PWM利用、负载开关、电源办理等场景，是高密度PCB设想的抱负挑选。
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNY3903A | DFN5×6 | KIA |
| 引脚号 | 功效界说 |
|---|---|
| 4 | Gate（栅极） |
| 5,6,7,8 | Drain（漏极） |
| 1,2,3 | Source（源极） |
| 利用范畴 | 详细场景 |
|---|---|
| PWM利用 | DC-DC转换器、机电驱动、LED调光 |
| 负载开关 | 电池掩护板、电源分派、电子开关 |
| 电源办理 | 高压大电流电源、快充适配器、便携式装备电源 |
KNY3903A 是KIA高机能N沟道加强型MOSFET，接纳DFN5×6超薄贴片封装，具有超低导通电阻、低栅极电荷、疾速开关等上风。
专为高密度PCB、大电流高压电源、机电驱动、电池掩护等场景设想，有用处理发烧大、效力低、体积受限等痛点。
超低内阻：RDS(on) = 4.0mΩ@10V，发烧更低、效力更高
大电流输入：85A持续电流，知足大功率场景
DFN5×6小体积：节流空间，合适高密度规划
低Qg、低Crss：开关速率快，高频消耗小
100%雪崩测试：不变性强，卑劣工况不掉链
国产优良替换：交期不变、性价比更高
| 型号 | 封装 | 极性 | 耐压 | 电流 | 内阻典范值 |
|---|---|---|---|---|---|
| KNY3903A | DFN5×6 | N沟道 | 30V | 85A | 4.0mΩ |
| 参数称号 | 标记 | 数值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 30 | V |
| 持续漏极电流@25℃ | ID | 85 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 360 | A |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 导通电阻 | RDS(on) | 4.0 | mΩ |
| 总栅极电荷 | Qg | 40 | nC |
| 任务温度 | Tj | -55~+150 | ℃ |
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 耐压 | 电流 | 内阻 | 替换干系 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AOS | AON6962 | DFN5×6 | 30V | 85A | 4.6mΩ | 间接PIN对PIN替换 |
| 新洁能 | NCE3085Q | DFN5×6 | 30V | 85A | 4.5mΩ | 间接替换 |
| 华羿微 | HY3903A | DFN5×6 | 30V | 85A | 4.2mΩ | 间接替换 |
| 拓锋 | TF030N03N | DFN5×6 | 30V | 85A | 4.5mΩ | 间接替换 |
| 安森美 | FDMS0308N | DFN5×6 | 30V | 80A | 4.8mΩ | 机能优于竞品 |
| 威兆 | VS3903AE | DFN5×6 | 30V | 85A | 4.3mΩ | 间接替换 |
DC-DC电源转换、同步整流
锂电池掩护板BMS、充放电办理
机电驱动、无刷机电、电开东西
快充电源、适配器、LED驱动
便携式装备、高密度PCB电源
负载开关、大电流配电、逆变器
1. 内阻更低 → 发烧更少 → 体系更不变
2. DFN5×6超薄小体积 → 合适松散型产物
3. 85A大电流 → 知足大功率装备需要
4. 开关速率快 → 高频利用消耗更低
5. 国产优良供货 → 交期不变、本钱更优
本产物参数以KIA官方规格书为准，可供给样品测试、手艺撑持。
KNY3903A 是 DFN5×6 30V 85A 低内阻MOSFET 抱负挑选。
六、相对最大额外值（TC=25℃，除非还有申明）
| 参数 | 标记 | 前提 | 额外值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | - | 30 | V |
| 持续漏极电流 | ID | TC=25℃ | 85 | A |
| TC=100℃ | 55 | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IDM | - | 360 | A |
| 栅源电压 | VGS | - | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | L=0.5mH, VDD=15V, VGS=10V, RG=25Ω, TJ=25℃ | 90 | mJ |
| 功耗 | PD | TC=25℃ | 90 | W |
| 任务结温与存储温度 | TJ, TSTG | - | -55 ~ +150 | ℃ |
| 焊接最高温度 | TL | 离外壳1/8"，焊接5秒 | 300 | ℃ |
| 参数 | 标记 | 额外值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 1.67 | ℃/W |
| 参数 | 标记 | 测试前提 | 最小值 | 典范值 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 30 | - | - | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| VDS=24V, TC=125℃ | - | - | 10 | uA | ||
| 栅源正向泄电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=30A | - | 4.0 | 5.5 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=30A | - | 6.0 | 7.5 | mΩ |
| 参数 | 标记 | 测试前提 | 典范值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 1951 | pF |
| 输入电容 | Coss | 322 | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | 240 | pF |
| 参数 | 标记 | 测试前提 | 典范值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 守旧提早时候 | td(on) | VGS=10V, VDS=15V, RL=3Ω, ID=30A | 12 | ns |
| 回升时候 | tr | 35 | ns | |
| 关断提早时候 | td(off) | 42 | ns | |
| 降落时候 | tf | 15 | ns |
| 参数 | 标记 | 测试前提 | 典范值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=15V, ID=30A, VGS=10V | 40 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 4 | nC | |
| 栅泄电荷 | Qgd | 12 | nC |
| 参数 | 标记 | 测试前提 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 持续源极电流 | IS | - | 90 | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | - | 360 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | ISD=30A, VGS=0V, TJ=25℃ | 1.2 | V |
| 反向规复时候 | Trr | IF=20A, di/dt=100A/μs | 16 | ns |
| 反向规复电荷 | Qrr | 5 | nC |
备注：以上数据基于KIA官方规格书（Rev 1.0, Dec 2025），批量利用前请以最新版规格书为准。
接洽体例：邹师长教师
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