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KCB040N10N TO-263 100V 172A MOSFET 低内阻大功率管

信息来历：本站　日期：2026-05-18　

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KCB040N10N TO-263 100V 172A MOSFET 低内阻大功率管

3.4mΩ超低内阻｜高雪崩耐量｜机电/电源/BMS公用

KIA KCX040N10N（KCB040N10N/KCT040N10N）100V 172A N沟道MOSFET｜低内阻高效力功率管

一、产物概述

KCX040N10N 是KIA接纳进步前辈沟槽工艺制作的N沟道加强型功率MOSFET，TO-263和TOLL双封装可选，具备极低的导通电阻、优良的开关机能和FOM值，经由过程JEDDEC规范认证，合适机电驱动、电池办理、UPS等大功率利用处景。

二、焦点特征

  • 接纳进步前辈沟槽MOS工艺，机能优良
  • 极低导通电阻：RDS(on)典范值低至3.2mΩ（TOLL封装）/3.4mΩ（TO-263封装）
  • 优良的FOM（Qg×RDS(on)）值，开关消耗极低
  • 经由过程JEDDEC规范认证，靠得住性高
  • 100% DVDS测试、100%雪崩测试，抗打击才能强
  • 合适RoHS环保规范，无卤设想

三、型号与封装信息

型号 丝印/标记 封装 包装情势 单卷数目
KCB040N10N KCB040N10N TO-263 编带（Tape） 1000pcs
KCT040N10N KCT040N10N TOLL 编带（Tape） 2000pcs

KCB040N10N / KCT040N10N 100V 172A N沟道MOSFET｜TO?263/TOLL 低内阻大功率管

一、产物概述

KCB040N10N（TO?263）/ KCT040N10N（TOLL）是KIA接纳进步前辈沟槽工艺的大功率N沟道MOSFET，主打100V/172A、低至3.2mΩ超低内阻、高雪崩耐量、TO?263/TOLL双封装，完善处理传统MOS管发烧炸机、电流缺乏、散热差、体积受限四大痛点，适配机电驱动、BMS、UPS、储能电源等大功率场景，国产替换首选。

二、焦点上风（客户难点直击）

  • 超低内阻3.2mΩ（TOLL）/3.4mΩ（TO?263）：导通消耗极小，处理大电流发烧严峻、效力低题目
  • 172A大电流+100V高耐压：功率冗余足，根绝过载炸机，靠得住性高
  • TO?263/TOLL双封装：TOLL散热更强、体积更小；TO?263兼容传统设想，矫捷适配PCB空间
  • 高EAS雪崩耐量+100%雪崩测试：抗打击、抗浪涌，卑劣工况不变
  • 国产替换｜交期稳｜价钱优｜RoHS无卤：替换英飞凌/安森美等高本钱入口型号，降本不降质

三、型号与封装信息

型号 封装 丝印 包装 单卷数目
KCB040N10N TO?263（D2PAK） KCB040N10N 编带 1000pcs
KCT040N10N TOLL（TO?263?8L） KCT040N10N 编带 2000pcs

四、焦点参数（相对最大额外值）

参数 标记 数值 单元
漏源电压 VDS 100 V
持续漏极电流（25℃） ID 172 A
脉冲漏极电流 IDM 480 A
单脉冲雪崩能量 EAS 256 mJ
栅源电压 VGS ±20 V
功耗（25℃） Ptot 227 W
任务结温 TJ ?55 ~ +150 ℃

五、电气特征（TJ=25℃）

参数 标记 前提 典范值 单元
漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=50A（TOLL） 3.2 mΩ
漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=50A（TO?263） 3.4 mΩ
栅极电荷 QG VGS=10V, VDS=50V 90 nC
输入电容 Ciss VGS=0V, VDS=50V 6772 pF
输入电容 Coss VGS=0V, VDS=50V 952 pF

六、可替换对标（同参数100V/160~170A）

KCB040N10N

KIA型号 封装 竞品品牌 竞品型号 竞品RDS(on) 对照上风
KCB040N10N TO?263 英飞凌 Infineon IPB039N10N3G 3.9mΩ 更低内阻、更高EAS、价钱更优
KCB040N10N TO?263 飞虹 170N1F4A 3.6mΩ 内阻更低、参数分歧性更好
KCT040N10N TOLL 国产TOLL 100V/170A TOLL 3.5~4.0mΩ 3.2mΩ业内抢先、散热更强、体积更小
KCT040N10N TOLL 安森美 ON NTMFS5N10 4.5mΩ 内阻低30%、效力更高、国产替换

七、利用处景

利用范畴 详细场景
机电驱动 产业机电、电开东西、BLDC无刷机电、伺服机电
电池办理BMS 锂电池掩护板、储能体系、电池平衡、大电流放电
电源与储能 UPS不中断电源、逆变器、DC?DC电源、光伏储能
新动力 电动两轮/三轮车、车载电源、快充电源

八、官网产物先容

KCB040N10N,KCT040N10N,TO?263 MOSFET,TOLL MOSFET,100V 172A MOSFET,低内阻MOS管,3.2mΩ MOSFET,大电流MOSFET,机电驱动MOS管,BMS掩护板MOS管,国产MOS管替换,UPS电源MOSFET,储能逆变器MOS管

备注：以上参数基于KIA官方规格书，批量利用请以最新版规格书为准；撑持样品请求、批量供货、手艺撑持。

四、产物焦点参数择要

参数 标记 数值 单元
漏源电压 VDS 100 V
导通电阻（典范值） RDS(on) 3.4（TO-263） mΩ
3.2（TOLL） mΩ
持续漏极电流（TC=25℃） ID 172 A

五、典范利用处景


利用范畴 详细场景
机电节制与驱动 产业机电、电开东西、BLDC驱动、伺服机电
电池办理体系（BMS） 锂电池掩护板、储能体系、电池平衡电路
不中断电源（UPS） 逆变器、电源转换、DC-AC变更

六、相对最大额外值

参数 标记 前提 数值 单元
漏源电压 VDS - 100 V
持续漏极电流 ID TC=25℃ 172 A
TC=25℃ 120 A
TC=100℃ 109 A
脉冲漏极电流 ID pulse TC=25℃, tp 由TJmax限定 480 A
单脉冲雪崩能量 EAS L=0.5mH, Rg=25Ω 256 mJ
栅源电压 VGS - ±20 V
功耗 Ptot TC=25℃ 227 W
任务结温与存储温度 TJ, Tstg - -55 ~ +150 ℃

七、热特征参数

参数 标记 最大值 单元
结-壳热阻 RthJC 0.55 ℃/W
结-情况热阻（最小PCB footprint） RthJA 62 ℃/W

八、电气特征（TJ=25℃，除非还有申明）

8.1 静态特征

参数 标记 前提 最小值 典范值 最大值 单元
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 100 115 - V
栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS, ID=250uA 2 3 4 V
零栅压漏极电流 IDSS VDS=100V, VGS=0V, TJ=25℃ - 0.05 1 μA
VDS=100V, VGS=0V, TJ=125℃ - - 10 μA
栅源泄电流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - ±10 ±100 nA
漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=50A（TO-263） - 3.4 4.2 mΩ
VGS=10V, ID=50A（TOLL） - 3.2 4.0 mΩ
跨导 gfs VDS=5V, ID=50A - 50 - S

8.2 静态特征

KCB040N10N

参数 标记 前提 典范值 单元
输入电容 Ciss VGS=0V, VDS=50V, f=1MHz 6772 pF
输入电容 Coss 952 pF
反向传输电容 Crss 33 pF
总栅极电荷 QG VGS=10V, VDS=50V, ID=20A 90 nC
栅源电荷 Qgs 28 nC
栅泄电荷 Qgd 19 nC
守旧提早时候 td(on) VGS=10V, VDD=50V, RG_ext=3.0Ω 28 ns
回升时候 tr 32 ns
关断提早时候 td(off) 48 ns
降落时候 tf 27 ns
栅极电阻 RG VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz 2 Ω

备注：以上数据基于KIA官方规格书，批量利用前请以最新版规格书为准。


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