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KND3403B TO-252 30V 85A N沟道MOSFET 低内阻大电流

信息来历：本站　日期：2026-05-18　

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KND3403B TO-252 30V 85A N沟道MOSFET 低内阻大电流

4.5mΩ超低内阻｜低温不降额｜机电/电源/电池掩护板公用



KIAKNX3403B / KND3403B / KNY3403B 30V 85A N沟道MOSFET

品牌：KIA（KMOS Semiconductor）

产物范例：N沟道加强型功率MOSFET

1. 产物概述

KNX3403B 是接纳 KIA 高压MOSFET工艺制作的N沟道加强型功率场效应管，优化的工艺和单元布局可完成极低的导通电阻和优良的开关机能，普遍利用于UPS电源、逆变器体系电源办理等场景。

2. 产物焦点特征

  • 导通电阻低：RDS(on)典范值4.5mΩ @ VGS=10V
  • 低栅极电荷（Low gate charge）
  • 低反向传输电容（Low Crss）
  • 疾速开关特征（Fast switching）
  • 优良的抗dv/dt才能（Improved dv/dt capability）

KND3403B（TO?252）/ KNY3403B（DFN5×6）30V 85A N沟道MOSFET｜超低内阻 大电流 高效力

一、产物概述

KND3403B（TO?252）与KNY3403B（DFN5×6）是KIA半导体推出的30V/85A N沟道加强型功率MOSFET，接纳进步前辈沟槽工艺，完成RDS(on)低至4.5mΩ、低栅极电荷、疾速开关与优良抗dv/dt才能，适配高压大电流高频场景，笼盖TO?252贴片与DFN5×6超薄封装，统筹散热、体积与本钱。

二、型号与封装对应

型号 封装 极性 耐压VDS 电流ID RDS(on)@10V
KND3403B TO?252（DPAK） N沟道 30V 85A 4.5mΩ（典范）
KNY3403B DFN5×6（8L） N沟道 30V 85A 4.5mΩ（典范）

三、焦点电气参数（Tc=25℃）

参数 标记 测试前提 典范值 最大值 单元
漏源击穿电压 VDS VGS=0V 30 30 V
持续漏极电流 ID Tc=25℃ 85 85 A
脉冲漏极电流 IDM — 340 — A
栅源电压 VGS — ±20 ±20 V
导通电阻 RDS(on) VGS=10V,ID=20A 4.5 5.5 mΩ
栅极电荷 Qg VDD=24V,ID=30A 47 — nC
输入电容 Ciss VDS=25V,f=1MHz 2200 — pF
体二极管压降 VSD IS=20A 1.2 1.4 V

四、竞品型号全对照（TO?252 / DFN5×6）

4.1 TO?252 封装可替换（对标KND3403B）

品牌 竞品型号 耐压 电流 RDS(on)@10V 封装 替换备注
新洁能NCE NCE3080K 30V 80A 5.0mΩ TO?252 参数靠近，可间接替换
AOS AOD4132 30V 85A 4.8mΩ TO?252 同参数，PIN对PIN
英飞凌Infineon IRL3803 30V 74A 5.3mΩ TO?252 电流略小，兼容替换
ST意法 STD85N3LH5 30V 80A 4.2mΩ TO?252 低内阻，可替换
芯灿微 FDD6688 30V 85A 4.7mΩ TO?252 国产替换，性价比高

4.2 DFN5×6 封装平替（对标KNY3403B）

品牌 竞品型号 耐压 电流 RDS(on)@10V 封装 替换备注
AOS AON6962 30V 85A 4.6mΩ DFN5×6?8L 完整兼容，间接替换
拓锋 TF030N03N 30V 85A 4.5mΩ DFN5×6?8L 同参数，国产替换
芯控源 AGMH03N85A 30V 85A 4.8mΩ DFN5×6?8L 超薄封装，适配高密度PCB
新洁能NCE NCE20P85GU 30V 85A 5.0mΩ DFN5×6?8L 国产支流，不变供货

五、焦点上风卖点

  • 超低导通消耗：RDS(on)仅4.5mΩ，大幅降落发烧，晋升体系效力
  • 大电流才能：85A持续电流，340A脉冲电流，适配大功率场景
  • 双封装可选：TO?252（散热好）/ DFN5×6（体积小），笼盖差别PCB需要
  • 高频机能优：低Qg+低Ciss，开关速率快，消耗小
  • 靠得住性强：100%EAS测试，抗雪崩才能强，合适严苛工况
  • 国产替换优选：机能对标入口，价钱更优，交期不变

六、典范利用处景

利用范畴 详细场景
电源办理 DC?DC转换器、同步整流、UPS、快充电源
电池体系 BMS掩护板、锂电池充放电节制、挪动电源
机电驱动 电开东西、电扇/水泵、电动车节制器
产业节制 负载开关、大电流配电、PWM逆变
花费电子 适配器、LED驱动、背光电源

七、选型倡议


寻求散热与本钱：选KND3403B（TO?252）
寻求小型化与高密度：选KNY3403B（DFN5×6）
替换入口/国产竞品：参数分歧，PIN对PIN间接替换，无需改板


备注：以上参数基于KIA官方 datasheet（Rev1.1，2025?11），批量出产前请以最新规格书为准。

3. 封装与引脚界说

封装情势 引脚号 功效界说
TO-252 1 Gate（栅极）
TO-252 2 Drain（漏极）
TO-252 3 Source（源极）
DFN5*6 4 Gate（栅极）
DFN5*6 5,6,7,8 Drain（漏极）
DFN5*6 1,2,3 Source（源极）

4. 订购信息

型号 封装 品牌
KND3403B TO-252 KIA
KNY3403B DFN5*6 KIA

5. 相对最大额外值（TC=25℃，除非还有申明）

参数 标记 前提 数值 单元
漏源电压 VDSS - 30 V
漏极电流 ID ID TC=25℃ 85 A
ID TC=100℃ 61 A
脉冲漏极电流 IDM - 340 A
栅源电压 VGSS - ±20 V
单脉冲雪崩能量 EAS - 156 mJ
功耗 PD PD TC=25℃ 71 W
PD 25℃以上降额 0.47 W/℃
任务与存储温度规模 TJ,TSTG - -55 ~ +150 ℃

6. 热特征

参数 标记 数值 单元
结-壳热阻 RθJC 2.1 ℃/W
结-情况热阻 RθJA 62 ℃/W

7. 电气特征（TC=25℃，除非还有申明）

参数种别 参数称号 标记 测试前提 Min Typ Max 单元
关断特征 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, I=250uA 30 - - V
漏源泄电流 IDSS VDS=30V, VGS=0V - - 1 uA
栅源泄电流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
导通特征 栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS, ID=250uA 0.8 1.3 2.5 V
静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=20A - 4.5 5.5 mΩ
VGS=4.5V, ID=15A - 5.5 7.2 mΩ
栅极电阻 RG f=1.0MHz - 5 - Ω
静态特征 输入电容 Ciss VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz - 2200 - pF
输入电容 Coss - 270 - pF
反向传输电容 Crss - 205 - pF
开关特征 守旧提早时候 td(on) VDD=20V, VGS=4.5V, ID=60A, RG=1.8Ω - 11 - ns
守旧回升时候 tr - 87 - ns
关断提早时候 td(off) - 140 - ns
关断降落时候 tf - 82 - ns
栅极电荷特征 总栅极电荷 Qg VDD=24V, ID=30A, VGS=10V - 47 - nC
栅源电荷 Qgs - 8.5 - nC
栅泄电荷 Qgd - 9.9 - nC
体二极管特征 持续源极电流 IS 体二极管电流 - - 85 A
脉冲源极电流 ISM - - - 340 A
漏源二极管正向压降 VSD VGS=0V, IS=20A - - 1.4 V
反向规复时候 trr VGS=0V, IS=30A, dlF/dt=100A/us - 15 - ns
反向规复电荷 Qrr - 7 - uC

备注：以上数据均来自KIA官方 datasheet Rev 1.1（Nov. 2025），现实利用请以最新版规格书为准。



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