KNH3730A TO-3P 50A/300V MOSFET 国产替换优选
信息来历：本站 日期：2026-05-19
处理入口交期慢、发烧高，产业电源 / 逆变器公用
| 名目 | 概况 |
|---|---|
| 产物型号 | KNH3730A（3730A系列） |
| 产物范例 | N-Channel MOSFET（N沟道功率场效应管） |
| 封装情势 | TO-3P（直插式功率封装） |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 焦点规格 | 50A/300V，Rds(on)=70mΩ（典范值） |
| 特征项 | 申明 |
|---|---|
| 工艺手艺 | 自研全新立体工艺（Planar Technology） |
| 导通电阻 | Rds(on)=70mΩ（典范值）@VGS=10V |
| 开关消耗 | 低栅极电荷设想，降落开关消耗 |
| 体二极管 | 快规复体二极管，按捺反向尖峰 |
| 名目 | 概况 |
|---|---|
| 产物型号 | KNH3730A |
| 封装情势 | TO-3P（直插功率封装） |
| 产物范例 | N沟道功率MOSFET |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 焦点规格 | 50A/300V，Rds(on)≤88mΩ |
| 特征 | 申明 |
|---|---|
| 导通电阻 | Rds(on)≤88mΩ@VGS=10V |
| 雪崩能量 | EAS=3044mJ（单脉冲） |
| 体二极管 | 快规复，按捺反向尖峰 |
| 任务温度 | ?55℃~+150℃（宽温） |
| 功耗 | 305W@25℃（高功率） |
| 利用范畴 | 申明 |
|---|---|
| 产业开关电源 | 大功率SMPS、电源模块 |
| UPS逆变器 | DC?AC逆变、不中断电源 |
| 机电驱动 | 产业机电、BLDC无刷机电 |
| 车载电源 | DC?DC转换器、快充电源 |
| 国产替换 | 替换TK50J30D/IXFH50N30Q3 |
| 参数 | 标记 | 额外值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 300 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±20 | V |
| 持续漏极电流 | ID | 50 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 200 | A |
| 功耗 | PD | 305 | W |
| 任务结温 | TJ | ?55~150 | ℃ |
| 参数 | 标记 | 测试前提 | 典范值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 300（Min） | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=300V,VGS=0V | ≤1 | μA |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=25A | 70（Typ） | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2.0~4.0 | V |
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz | 5108 | pF |
| 反向传输电容 | Crss | 同上 | 275 | pF |
| 输入电容 | Coss | 同上 | 500 | pF |
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=150V,ID=25A | 220 | nC |
| 反向规复时候 | trr | IF=25A,di/dt=100A/μs | 516 | ns |
| 参数 | 标记 | 典范值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 结?壳热阻 | RθJC | 0.41 | ℃/W |
| 结?情况热阻 | RθJA | 50 | ℃/W |
| 型号 | 品牌 | 封装 | 规格 | 替换干系 |
|---|---|---|---|---|
| KNH3730A | KIA | TO?3P | 50A/300V | 国产优选 |
| TK50J30D | Toshiba | TO?3P | 50A/300V | 间接替换 |
| IXFH50N30Q3 | IXYS | TO?247AD | 50A/300V | 引脚兼容 |
| IRFZ48N | Infineon | TO?247 | 50A/300V | 参数靠近 |
| 利用范畴 | 申明 |
|---|---|
| DC-DC转换器 | 产业级直流电源模块、车载DC-DC |
| UPS逆变器 | 不中断电源DC-AC逆变电路 |
| SMPS电源 | 开关形式电源、大功率适配器 |
| 机电节制 | 产业机电驱动、BLDC无刷机电节制 |
| 引脚号 | 功效界说 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 参数项 | 标记 | 额外值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 300 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±20 | V |
| 持续漏极电流@25℃ | ID | 50 | A |
| 持续漏极电流@100℃ | ID | 31 | A |
| 脉冲漏极电流@VGS=10V | IDM | 200 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 3044 | mJ |
| 二极管规复dv/dt | dv/dt | 5.0 | V/ns |
| 功耗@25℃ | PD | 305 | W |
| 功耗降额系数 | - | 2.5 | W/℃ |
| 存储/任务结温 | TJ,TSTG | -55~150 | ℃ |
| 参数项 | 标记 | 额外值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 0.41 | ℃/W |
| 结-情况热阻 | RθJA | 50 | ℃/W |
| 参数项 | 标记 | 测试前提 | 典范值/规模 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 300（Min） | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=300V, VGS=0V | ≤1（Max） | uA |
| 栅源泄电流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | ±100（Max） | nA |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=25A | 70（Typ）/≤88（Max） | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | 2.0~4.0 | V |
| 正向跨导 | gfs | VDS=15V, ID=25A | 18（Typ） | S |
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz | 5108（Typ） | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz | 275（Typ） | pF |
| 输入电容 | Coss | VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz | 500（Typ） | pF |
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=150V, ID=25A, VGS=0~10V | 220（Typ） | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 同上前提 | 16（Typ） | nC |
| 栅漏（米勒）电荷 | Qgd | 同上前提 | 128（Typ） | nC |
| 守旧提早时候 | td(ON) | VDD=150V, ID=25A, RG=1.2Ω | 25（Typ） | ns |
| 回升时候 | trise | 同上前提 | 50（Typ） | ns |
| 关断提早时候 | td(OFF) | 同上前提 | 100（Typ） | ns |
| 降落时候 | tfall | 同上前提 | 35（Typ） | ns |
| 持续源极电流 | ISD | 体二极管电流 | 50（Typ） | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | 体二极管脉冲电流 | 200（Max） | A |
| 二极管正向压降 | VSD | IS=25A, VGS=0V | ≤1.5（Max） | V |
| 反向规复时候 | trr | VGS=0V, IF=25A, diF/dt=100A/μs | 516（Typ） | ns |
| 反向规复电荷 | Qrr | 同上前提 | 4.16（Typ） | uC |
| 测试名目 | 电路范例 |
|---|---|
| 开关特征测试 | 带负载电阻的开关测试电路 |
| 栅极电荷测试 | 带帮助电容的栅极电荷测试电路 |
| 雪崩特征测试 | 无钳位电感开关测试电路 |
| 二极管规复测试 | 带电感负载的二极管规复测试电路 |
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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