KCY1804A 40V/240A N 沟道功率 MOSFET，DFN5*6 封装，典范导通电阻仅 1.05mΩ，...KCY1804A 40V/240A N 沟道功率 MOSFET，DFN5*6 封装，典范导通电阻仅 1.05mΩ，大幅下降发烧消耗。撑持 960A 脉冲电流，100% 雪崩测试，产业级高靠得住性。可直代替...
KNF6765A是650V/16A N沟道MOSFET，0.45Ω低阻低发烧，快规复体二极管抗打击，T...KNF6765A是650V/16A N沟道MOSFET，0.45Ω低阻低发烧，快规复体二极管抗打击，TO-220F全绝缘封装，适配开关电源、适配器、充电器，原厂直供，不变靠谱！
NP4540A/KNF4540A是400V/6A N沟道MOSFET，0.8Ω低阻低发烧，快规复体二极管抗冲...NP4540A/KNF4540A是400V/6A N沟道MOSFET，0.8Ω低阻低发烧，快规复体二极管抗打击，TO-220/TO-220F封装，适配开关电源、适配器、充电器，原厂直供，不变靠谱！
KIA23P10A是TO-252封装-100V/-23A P沟道MOSFET，78mΩ低阻低发烧，开关速率快、...KIA23P10A是TO-252封装-100V/-23A P沟道MOSFET，78mΩ低阻低发烧，开关速率快、抗搅扰强，100%EAS测试，合用于电源/机电/电池掩护，原厂直供，不变靠谱！
KIA65R700FS 650V/7A N 沟道 MOSFET，TO-220F 封装，参数对标英飞凌 SPA06N65C...KIA65R700FS 650V/7A N 沟道 MOSFET，TO-220F 封装，参数对标英飞凌 SPA06N65C3，0.6Ω 低 Rds、高抗雪崩才能，高性价比国产替换计划，适配开关电源、LED 驱动。 ...
KNS8104A 40V/30A N 沟道 MOSFET，专为 DC-DC 电源、电池掩护板、机电驱动设想...KNS8104A 40V/30A N 沟道 MOSFET，专为 DC-DC 电源、电池掩护板、机电驱动设想，12mΩ 低 Rds、疾速开关、100% 雪崩测试，SOT-89 封装，不变靠得住。 ...
