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KNF6765A 650V 16A MOS管 TO-220F全绝缘

信息来历：本站　日期：2026-05-27　

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KNF6765A 650V 16A MOS管 TO-220F全绝缘

低阻低消耗 开关电源/充电器公用 原厂直供

KNF6765A

KNF6765A 650V 16A MOS管 TO-220F全绝缘

KNF6765A - N沟道MOSFET规格书

1. 产物根本信息

名目 参数申明
产物型号 KNF6765A
器件范例 N沟道加强型MOSFET
关头规格 650V / 16A / RDS(on)=0.45Ω
封装范例 TO-220F（全绝缘封装）

一、产物根基信息

名目 参数
产物型号 KNF6765A
封装范例 TO-220F 全绝缘封装
器件范例 N沟道加强型MOSFET
焦点规格 650V 16A RDS(on)=0.45Ω
合用范畴 开关电源、适配器、充电器、产业电源

二、焦点产物上风

650V超高耐压，电源体系更宁静
0.45Ω低内阻，低消耗低发烧
TO-220F全绝缘，装置宁静不短路
低栅极电荷，开关速率快效力高
内置快规复体二极管，抗浪涌才能强
合适RoHS无铅环保，批量分歧性好

三、全品牌间接竞品型号对比表

KNF6765A

品牌 平替型号 规格对标
英飞凌 IPA16N65C 650V 16A 完整对标
英飞凌 SPA16N65C 650V 16A 间接对标
安森美 NTD16N65 650V 16A 间接对标
新洁能 NCE65T160 650V 16A 完整对标
新洁能 NCE65T180 650V 18A 同类对标
长电 CJQ16N65 650V 16A 间接对标
士兰微 SVF16N65 650V 16A 间接对标
华微 HY65160 650V 16A 完整对标
UTC 16N65 650V 16A 间接对标
捷捷微 JJW16N65 650V 16A 间接对标
东微 TDM16N65 650V 16A 间接对标
万代/AOS AOT16N65 650V 16A 完整对标

四、官网宣KNF6765A 650V/16A高压MOS管先容

标题：KNF6765A 650V/16A高压MOS管
副标题：TO-220F全绝缘 电源公用低消耗MOSFET
产物特色1：650V高耐压，适配高压电源体系
产物特色2：低内阻低发烧，持久任务更不变
产物特色3：TO-220F全绝缘，装置宁静更靠得住
产物特色4：快规复二极管，抗打击才能更强
合用场景：开关电源、电源适配器、充电器、
LED驱动、产业电源、家电节制、逆变电源
品德许诺：原厂正品，分歧性好，
持久不变供货，无铅环保

五、焦点参数速览

参数 标记 数值 单元
漏源电压 VDS 650 V
持续电流 ID 16 A
导通电阻 RDS(on) 0.45 Ω
栅源电压 VGS ±30 V
任务温度 TJ -55~150 ℃
封装 - TO-220F -

2. 产物特征

接纳专利全新立体工艺制作
合适RoHS环保规范，无铅工艺
低导通电阻RDS(on)=0.45Ω（典范值，VGS=10V）
低栅极电荷，有用降落开关消耗
内置快规复体二极管，反向规复机能优良

3. 利用范畴

电源适配器、充电器
开关电源（SMPS）待电机源电路

4. 引脚设置装备摆设申明

引脚号 功效界说
1 栅极（Gate）
2 漏极（Drain）
3 源极（Source）

5. 订购信息

部件型号 封装 品牌
KNF6765A TO-220F KIA

6. 相对最大额外值（Tc=25℃）

参数称号 标记 额外值 单元
漏源电压 VDS 650 V
栅源电压 VGS ±30 V
持续漏极电流 ID 16 A
脉冲漏极电流（VGS=10V） IDM 64 A
单脉冲雪崩能量（L=30mH） EAS 1100 mJ
耗散功率 PD 65 W
25℃以上降额系数 - 0.52 W/℃
焊接引脚最高温度（10秒） TL 300 ℃
封装体最高温度（10秒） TPAK 260 ℃
任务/存储温度规模 TJ&TSTG -55 ~ 150 ℃

7. 热特征参数

参数称号 标记 额外值 单元
结到外壳热阻 RθJC 1.92 ℃/W
结到情况热阻 RθJA 100 ℃/W

8. 电气特征（Tc=25℃，除非还有申明）

关断特征

参数称号 标记 测试前提 最小值 典范值 最大值 单元
漏源击穿电压 BVOSS VGS=0V, ID=250μA 650 - - V
漏源泄电流 IDSS VDS=650V, VGS=0V - - 1 μA
VDS=520V, TJ=125℃ - - 100 μA
栅源泄电流 IGSS VGS=±30V, VDS=0V - - ±100 nA

导通特征

参数称号 标记 测试前提 最小值 典范值 最大值 单元
静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=8A - 0.45 0.55 Ω
栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS, ID=250μA 2.0 - 4.0 V

静态特征

参数称号 标记 测试前提 最小值 典范值 最大值 单元
输入电容 Ciss VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz - 2300 - pF
输入电容 Coss - 220 - pF
反向传输电容 Crss - 100 - pF
总栅极电荷 Qg VDD=325V, ID=16A, VGS=10V - 35 - nC
栅源电荷 Qgs - 10 - nC
栅泄电荷（米勒电荷） Qgd - 6 - nC

电阻开关特征

参数称号 标记 测试前提 最小值 典范值 最大值 单元
守旧提早时候 td(on) VDD=325V, ID=16A, VGS=10V, RG=25Ω - 30 - ns
回升时候 trise - 40 - ns
关断提早时候 td(off) - 80 - ns
降落时候 tfall - 40 - ns

源漏体二极管特征

参数称号 标记 测试前提 最小值 典范值 最大值 单元
持续源极电流 ISD MOSFET内集成PN结二极管 - - 16 A
脉冲源极电流 ISM - - 64 A
二极管正向电压 VSD IS=16A, VGS=0V - - 1.5 V
反向规复时候 trr IS=16A, VGS=10V, di/dt=100A/μs - 550 - ns
反向规复电荷 Qrr - 4.2 - uC

9. 备注申明

注1：任务结温规模为+25℃到+150℃。

注2：脉冲测试前提：脉宽≤380μs，占空比≤2%。

注3：雪崩测试前提：ISD=16A, di/dt<100A/μs, VDD

正告：跨越相对最大额外值的应力能够致使器件永远破坏。

10. 典范特征曲线（参考）

1. 结到外壳归一化瞬态热阻抗曲线
2. 耗散功率与外壳温度干系曲线
3. 持续漏极电流与外壳温度干系曲线
4. 典范输入特征曲线（ID vs VDS）
5. 导通电阻与栅极电压/漏极电流干系曲线
6. 峰值电流才能曲线
7. 传输特征曲线（ID vs VGS）
8. 无钳位电感开关才能曲线
9. 导通电阻与漏极电流干系曲线
10. 导通电阻与结温干系曲线
11. 击穿电压与结温干系曲线
12. 阈值电压与结温干系曲线
13. 宁静任务区（SOA）曲线
14. 电容与漏源电压干系曲线
15. 栅极电荷与栅源电压干系曲线
16. 体二极管传输特征曲线


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